ZHCAAJ5A July   2018  – July 2021 TAS5825M

 

  1.   商标
  2. 1总体概述
  3. 2先进的发射抑制技术
    1. 2.1 展频调制
    2. 2.2 去相和多器件相位同步
  4. 3实现 EMC 的印刷电路板设计
    1. 3.1 印刷电路板布局布线
    2. 3.2 铁氧体磁珠滤波器
    3. 3.3 电源线和扬声器线
    4. 3.4 TAS5825M 器件配置
  5. 4TAS5825M EMI 测试结果
    1. 4.1 EN55022 辐射发射结果
    2. 4.2 EN55022 传导发射结果
    3. 4.3 结论
  6. 5修订历史记录

2.2 去相和多器件相位同步

除了展频技术之外，TAS5825M 器件还采用了去相电路，可在不降低音频性能的情况下进一步减少电磁发射。

去相电路通过交错两个音频通道之间的切换时序来改善 EMI 和噪声性能。这种经改善的 EMI 和噪声性能可降低 PVDD 线路上的传导发射，原因是两个音频通道的输出纹波电流将出现异相，而来自 PVDD 线路的纹波峰值电流值将因此减少到一半。

此外，TAS5825M 支持多通道之间的 45° 相移，从而可降低多器件系统中的 EMI。请参阅 TAS5825M 数据表中提供的更多详细信息。