ZHCAAD9A April 2020 – June 2021 LM3668 , TPS63000 , TPS63000-Q1 , TPS63001 , TPS63002 , TPS63010 , TPS63011 , TPS63020 , TPS63020-Q1 , TPS63021 , TPS63024 , TPS630241 , TPS630242 , TPS630250 , TPS630251 , TPS630252 , TPS63027 , TPS63030 , TPS63031 , TPS63036 , TPS63050 , TPS63051 , TPS63060 , TPS63061 , TPS63070 , TPS63802 , TPS63805 , TPS63806 , TPS63810 , TPS63811 , TPS63900 , TPS63901
Other TMs
满足明确定义的排放标准是将新产品推向市场的关键要求。但如今,这些产品中几乎有一半最终不符合排放标准。这会导致产品延迟上市,并会迅速增加产品的最终成本。本报告阐述了可实现用以提高 EMI 性能的 TPS63xxx PCB 集成的经验法则解决方案。
图 2-1 突出显示了同相降压/升压转换器中的主要 EMI 源。
第一个 EMI 源是位于输入电容器 (CIN) 和 SW2 之间的热回路。负责 EMI 的第二个回路是位于输出电容器 (COUT) 和 SW3 之间的回路。回路发生情况取决于转换器工作模式。在图 2-1 中,左侧回路在降压模式运行期间存在,而最右侧回路在升压模式运行期间存在。由于开关逻辑,这些回路的电流随时间的变化率 (di/dt) 会很高。考虑到电容器的等效串联电感 (ESL) 和电感器上的电压方程Equation1,可以看出这些热回路会产生不需要的电压 (vL)。
开关节点 L1 和 L2 是另一个 EMI 源。根据运行模式(L1 表示降压,L2 表示升压),这些节点的电压随时间的变化率 (dv/dt) 会很高。电压的变化会在电容器中产生不需要的电流,如Equation2 所示。请记住,电感器绕组之间会产生电容,可能发生寄生电流 (i2C)。
除了电感器的寄生电容,节点和接地层之间还存在另一个电容。该电容由Equation3 描述,在很大程度上受到节点所在的层与最近的接地层之间的距离 (d) 以及平行板 (A) 区域的影响。ε0 和 εr 是自由空间的介电常数 (ε0=8.85pF/m) 和两个板之间介质的相对介电常数。
以下部分将介绍经测试可减少辐射的解决方案。所提议的解决方案伴随着可证明其有效性的测量。此类测量是根据Topic Link Label7中引用的 CISPR 16-2-3 标准和规定进行的。
图 3-1 所示为 TPS63070 典型应用的电路。本应用手册中使用了此电路。初始 PCB 布局概念是德州仪器 (TI) 针对已构建 PCB 建议的 Webench 布局。
请注意,Webench 布局并未针对卓越 EMI 性能进行优化,而是针对放置不同尺寸组件的能力进行了优化。
Webench PCB 布局是一种双层方法。除电感器端口之外的所有平面都保留在顶层。底层由电感器端子及输入和输出平面组成。可对 Webench 布局进行优化以提高辐射性能,如下所示:
图 3-2 所示为 Webench 布局(左侧)和经过优化的布局(右侧)的顶层。它突出显示了极小的平面和缺乏串扰。
图 3-3 所示为上述改进的优势。这两种测量方法之间的差异非常明显并且很容易看出。从数字角度而言,这种差异在严重受影响的频率下会高达 10dB。
可最大限度地减小辐射的一种常用设计解决方案采用的是四层板。在现有的顶层和底层附近添加两个接地层可显著提高 EMI 性能。新的接地层由填充材料隔开,并尽可能靠近顶层和底层。通过添加接地层,返回电流形成的环路面积显著减少。因此,与两层解决方案相比,减少的环路面积能够更好地抵消磁通。
图 4-1 所示为两层板(左)和四层板(右)的层堆叠。两个额外的接地层可显著降低板之间产生的寄生电容。之所以能减少这种电容,是因为信号层和 GND 层之间的距离被尽可能缩短。如先前在Equation3 中所述,层间距离与两个板之间出现的电容成反比。
请注意,两个信号层之间的距离在两种情况下都保持不变。
图 4-2 中突出显示了四层板带来的影响。总体而言,变换到四层 PCB 可提高辐射性能。在极端的情况下,辐射场的减少在 4dB 到 10dB 之间变化。
从天线理论的角度来看,电缆只不过是一个辐射体。转换器所在的机箱或外壳可作为该辐射体的参考平面。电缆和机箱之间的电势差是驱动此天线的电压。由于存在这种现象,外部电缆(如用于连接电源的电缆)会是主要的辐射源。为了更大限度地减少这些辐射,必须控制和减小前面提及的电势差。一个很好的方法是在机箱和连接到潜在辐射体的 PCB 引脚之间提供高频低阻抗连接。
为了将此原理应用于 TPS63070 转换器 PCB,底部平面已被中性机箱接地层所取代。高频电容器已用于将这个新接地层连接到输入端、输出端和地平面。这样,就为高频信号提供了低阻抗路径。
请注意,这些电容器应尽可能靠近 PCB 上的电缆端接放置。这样,我们便可确保机箱接地层和连接平面之间的压差处于极低水平。
图 5-1 所示为此解决方案对于整体设计的好处。辐射场在所有频率下都已减小,而且没有做出重大取舍。通过实施该解决方案,可将辐射发射额外降低 5dB。
本应用手册重点介绍了三种可减少辐射电磁干扰的解决方案。在 CISPR 标准推荐的类似测量条件下,在消声室中获得的测量数据为所提出的解决方案提供了数据支持。虽然报告中所述的解决方案表明可提高 EMI 性能,但值得注意的是,仅靠它们并不能确保满足所要求的标准。在处理 EMI 时,辅助设备、电源、负载也会对最终结果产生影响,因此需要考虑它们产生的影响。
Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (April 2020)to RevisionA (June 2021)
TI 均以“原样”提供技术性及可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源,不保证其中不含任何瑕疵,且不做任何明示或暗示的担保,包括但不限于对适销性、适合某特定用途或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担保。 |
所述资源可供专业开发人员应用TI 产品进行设计使用。您将对以下行为独自承担全部责任:(1) 针对您的应用选择合适的TI 产品;(2) 设计、验证并测试您的应用;(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。所述资源如有变更,恕不另行通知。TI 对您使用所述资源的授权仅限于开发资源所涉及TI 产品的相关应用。除此之外不得复制或展示所述资源,也不提供其它TI或任何第三方的知识产权授权许可。如因使用所述资源而产生任何索赔、赔偿、成本、损失及债务等,TI对此概不负责,并且您须赔偿由此对TI 及其代表造成的损害。 |
TI 所提供产品均受TI 的销售条款 (http://www.ti.com.cn/zh-cn/legal/termsofsale.html) 以及ti.com.cn上或随附TI产品提供的其他可适用条款的约束。TI提供所述资源并不扩展或以其他方式更改TI 针对TI 产品所发布的可适用的担保范围或担保免责声明。IMPORTANT NOTICE |
邮寄地址:上海市浦东新区世纪大道 1568 号中建大厦 32 楼,邮政编码:200122
Copyright © 2020 德州仪器半导体技术(上海)有限公司 |