전압 회전율이 증가하면 MOSFET의 게이트 및 소스 신호에서 전압 링잉(오버슈트 및 언더슈트)가 발생합니다. 오버슈트의 크기는 회전율에 따라 직접적으로 바뀝니다(게이트 전류에 의해 제어됨). 게이트 전류가 회전률 및 링잉에 미치는 영향은 그림 3-1을(를) 참조하세요. 전압 스파이크가 모터 드라이버의 최대 정격 절대값, 특히 게이트 및 소스 핀 정격을 위반하지 않도록 해야 할 책임은 시스템 설계 엔지니어에게 있습니다. 모터 드라이버의 정격값을 초과하여 작동하는 경우 장치 성능과 안정성에 영향을 미치며, 이는 예상치 못한 동작/조기 마모를 유발합니다.

그림 3-1 게이트 전류가 회전율과 링잉에 미치는 영향: a) 게이트 전류 - 64mA(왼쪽) b) 게이트 전류 - 1,024mA(오른쪽)

간과되는 또 다른 중요한 사양은 모터 드라이버의 소스 노드에 의해 허용되는 최대 절대 회전율입니다. 많은 구형 장치와 주요 경쟁사 장치의 최대 절대 회전율 사양은 1V/us이므로 스위칭 속도가 제한됩니다. 또한 MOSFET 전압 드레인-소스 회전은 커패시터 충전 아날로그이기 때문에 선형이 아니라 S 곡선과 유사하다는 점도 주목할 만합니다. 즉, 회전율이 중간 부분에서 장치 정격보다 높을 수 있습니다. 따라서 스위칭 효율을 위해 더 빠른 회전 스위칭 시간을 필요로 하는 고객에게는 심각한 제한이 있습니다. 텍사스 인스트루먼트의 새로운 48V 드라이버 DRV8363-Q1은 이러한 점을 염두에 두고 특별히 설계되었으며 소스 노드에서 최대 20V/ns의 회전율 허용 오차를 제공합니다. DRV8363-Q1의 새로운 정격은 더 빠른 회전율을 위해 시스템 견고성을 높여서 드라이버가 시스템 성능을 제한하지 않도록 합니다.

RC 스너버를 추가하거나 적절한 PCB 설계 관행을 따라 링잉의 영향을 줄일 수 있습니다. 궁극적으로 시스템 설계 엔지니어는 시스템의 게이트 전류를 선택하기 전에 EMI 제한 사항과 드라이버 전압 정격을 고려해야 합니다. 시스템의 최적 회전율에 영향을 미치는 기생에 대한 전반적인 PCB 견고성을 포함하여 어느 쪽이든 장점과 단점이 있습니다.