KOKA375 November 2025 DRV8363-Q1
MOSFET의 더 빠른 스위칭으로 빠른 전압 과도가 발생하며, 여기에는 EMI로 전달되는 고주파 성분이 포함됩니다. 모든 회로에는 기생 인덕턴스와 커패시턴스가 있으며 이러한 L-C 구성 요소의 빠른 여기로 특정 주파수가 더욱 증폭되는 공진 회로가 생성될 수 있습니다. 이러한 주파수는 시스템의 나머지 부분에 간섭을 일으킬 수 있습니다. 차량용 시스템에는 엄격한 EMI 주파수 상한 요구 사항(예: CISPR 25 규격 준수)이 적용되므로 최종 시스템에 구현할 수 있는 회전율에 제한이 있습니다.