ZHCSRA0 December   2022 UCC5871-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Pin Configuration and Functions
  6. 6Specifications
    1. 6.1  Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2  ESD Ratings
    3. 6.3  Recommended Operating Conditions
    4. 6.4  Thermal Information
    5. 6.5  Power Ratings
    6. 6.6  Insulation Specifications
    7. 6.7  Safety Limiting Values
    8. 6.8  Electrical Characteristics
    9. 6.9  SPI Timing Requirements
    10. 6.10 Switching Characteristics
    11. 6.11 Typical Characteristics
  7. 7Layout
    1. 7.1 Layout Guidelines
      1. 7.1.1 Component Placement
      2. 7.1.2 Grounding Considerations
      3. 7.1.3 High-Voltage Considerations
      4. 7.1.4 Thermal Considerations
    2. 7.2 Layout Example
  8. 8Device and Documentation Support
    1. 8.1 Device Support
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 Documentation Support
      1. 8.2.1 Related Documentation
    3. 8.3 Receiving Notification of Documentation Updates
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 Trademarks
    6. 8.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 8.7 术语表
  9. 9Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

说明

UCC5871-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道栅极驱动器,专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保护,例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保护以及 DESAT 检测,还在这些故障期间提供可选的软关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸,UCC5871-Q1 可在开关期间提供 4A 有源米勒钳位,在驱动器未通电时提供有源栅极下拉。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温度,从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化系统设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

器件信息
器件型号(1)封装封装尺寸(标称值)
UCC5871-Q1SSOP (36)12.8mm × 7.5mm
如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
简化原理图