ZHCSXH1B June   2024  – October 2024 UCC57102 , UCC57108

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 热性能信息
    4. 5.4 建议运行条件
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级
      2. 6.3.2 使能功能
      3. 6.3.3 驱动器级
      4. 6.3.4 去饱和 (DESAT) 保护
      5. 6.3.5 故障 (FLT)
      6. 6.3.6 VREF
      7. 6.3.7 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 VDD 欠压锁定
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.3 驱动器级

该器件具有 ±3A 的峰值驱动强度，适合驱动 IGBT/SiC。该驱动器具有一项重要的安全功能，借助该功能，当输入引脚处于悬空状态时，输出会保持在低电平状态。该驱动器通过使用固有自举栅极驱动实施 NMOS 上拉，实现轨到轨输出。在直流条件下，PMOS 用于保持 OUT 与 VDD 的连接，如下图所示。NMOS 具有低上拉阻抗，从而在导通瞬变期间可产生强驱动强度，从而缩短功率半导体的输入电容的充电时间并降低导通开关损耗。

UCC57108 UCC57102 栅极驱动器输出级图 6-4 栅极驱动器输出级