ZHCSXH1B June   2024  – October 2024 UCC57102 , UCC57108

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 热性能信息
    4. 5.4 建议运行条件
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级
      2. 6.3.2 使能功能
      3. 6.3.3 驱动器级
      4. 6.3.4 去饱和 (DESAT) 保护
      5. 6.3.5 故障 (FLT)
      6. 6.3.6 VREF
      7. 6.3.7 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 VDD 欠压锁定
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 电源相关建议
  10. 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

去饱和 (DESAT) 保护

UCC5710x-Q1 实现了快速过流和短路保护功能,可保护 MOSFET/IGBT 在故障期间免受灾难性击穿的影响。DESAT 引脚相对于 GND、功率半导体的源极或发射极具有典型的 6.5V 阈值。当输入处于悬空状态或输出保持在低电平状态时,DESAT 引脚由内部 MOSFET 下拉并保持在低电平状态,从而防止误触发过流和短路故障。仅在驱动器导通状态期间激活 DESAT 引脚的内部电流源,这意味着仅在功率半导体处于导通状态时过流和短路保护功能才有效。当功率半导体关断时,内部下拉 MOSFET 有助于使 DESAT 引脚的电压放电。该器件在 OUT 切换至高电平状态后具有 150ns 的典型内部前沿消隐时间。在内部前沿消隐时间之后激活 UCC5710x 内部电流源,为外部消隐电容器充电。内部电流源的典型值为 250µA。有关 DESAT 电路设计的更多详细信息,请参阅 UCC5710x-Q1 的应用和优势

UCC57108 UCC57102 DESAT 保护图 6-5 DESAT 保护