ZHCSXH1B June 2024 – October 2024 UCC57102 , UCC57108
PRODUCTION DATA
UCC5710x-Q1 实现了快速过流和短路保护功能,可保护 MOSFET/IGBT 在故障期间免受灾难性击穿的影响。DESAT 引脚相对于 GND、功率半导体的源极或发射极具有典型的 6.5V 阈值。当输入处于悬空状态或输出保持在低电平状态时,DESAT 引脚由内部 MOSFET 下拉并保持在低电平状态,从而防止误触发过流和短路故障。仅在驱动器导通状态期间激活 DESAT 引脚的内部电流源,这意味着仅在功率半导体处于导通状态时过流和短路保护功能才有效。当功率半导体关断时,内部下拉 MOSFET 有助于使 DESAT 引脚的电压放电。该器件在 OUT 切换至高电平状态后具有 150ns 的典型内部前沿消隐时间。在内部前沿消隐时间之后激活 UCC5710x 内部电流源,为外部消隐电容器充电。内部电流源的典型值为 250µA。有关 DESAT 电路设计的更多详细信息,请参阅 UCC5710x-Q1 的应用和优势。