ZHDS283 June   2026 TPSM65660

ADVMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性描述
      1. 7.3.1  输入电压范围（VIN1、VIN2）
      2. 7.3.2  内部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 输入
      3. 7.3.3  精度使能和可调节电压 UVLO (EN/UVLO)
      4. 7.3.4  输出电压设定点（FB、BIAS）
      5. 7.3.5  可调开关频率 (RT)
      6. 7.3.6  模式选择和时钟同步 (MODE/SYNC)
        1. 7.3.6.1 时钟同步
        2. 7.3.6.2 时钟锁定
      7. 7.3.7  器件配置 (CNFG/SYNCOUT)
      8. 7.3.8  双随机展频 (DRSS)
      9. 7.3.9  高侧 MOSFET 和栅极驱动 (BST)
      10. 7.3.10 软启动和从压降中恢复
      11. 7.3.11 保护特性
        1. 7.3.11.1 电源正常监视器
        2. 7.3.11.2 过流和短路保护
        3. 7.3.11.3 断续模式保护
        4. 7.3.11.4 热关断
      12. 7.3.12 两相单输出运行
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 活动模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 动力总成元件
        1. 8.1.1.1 输出电容器
        2. 8.1.1.2 输入电容器
        3. 8.1.1.3 EMI 滤波器
      2. 8.1.2 误差放大器和补偿
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计 1 — 具有宽输入电压范围的 5V、6A 同步降压稳压器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 选择开关频率
          2. 8.2.1.2.2 输入电容器选型
          3. 8.2.1.2.3 输出电容器
          4. 8.2.1.2.4 输出电压设定点
          5. 8.2.1.2.5 补偿器件
          6. 8.2.1.2.6 设置输入电压 UVLO
          7. 8.2.1.2.7 减轻 EMI、RDRSS
          8. 8.2.1.2.8 输入电容器选型
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 最佳设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 热设计和布局
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
      2. 9.1.2 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
        1. 9.2.1.1 PCB 布局资源
        2. 9.2.1.2 热设计资源
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • VCL|31
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 宽输入电压范围：3.5V 至 65V
  • 1% 精度、3.3V 或 5V 固定值，或者 0.8V 至 24V 可调 VOUT
  • 易于使用的高功率密度设计
    • 具有非屏蔽 3.3μH 电感器的 7.2mm × 7.7mm × 3.8mm 增强型 HotRod™ QFN 封装
    • 集成的 VCC、BST 和高频旁路电容器可减小设计尺寸
    • 使用极少的 BOM 轻松进行设计和布局
    • 内部补偿、OCP 和 TSD
    • RθJA = 18°C/W (TPSM65660EVM)
  • 高效电源转换
    • 峰值效率 > 92%，24VIN 至 5VOUT，400kHz
    • VIN 睡眠静态电流低至 1.8µA
  • 减轻干扰和噪声的技术 — 架构 2 (MINT 2)
    • 支持符合 CISPR 11 或 CISPR 32 B 级标准
    • 具有对称引脚排列、内部旁路电容器和低环路电感的增强型 HotRod QFN 封装
    • 展频 (DRSS) 和开关
      转换率控制可降低峰值发射
    • 开关频率范围为 300kHz 至 2.2MHz
    • AUTO、FPWM 或 SYNC 操作
  • 短最小导通时间：36ns（典型值）