ZHDS283 June   2026 TPSM65660

ADVMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性描述
      1. 7.3.1  输入电压范围（VIN1、VIN2）
      2. 7.3.2  内部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 输入
      3. 7.3.3  精度使能和可调节电压 UVLO (EN/UVLO)
      4. 7.3.4  输出电压设定点（FB、BIAS）
      5. 7.3.5  可调开关频率 (RT)
      6. 7.3.6  模式选择和时钟同步 (MODE/SYNC)
        1. 7.3.6.1 时钟同步
        2. 7.3.6.2 时钟锁定
      7. 7.3.7  器件配置 (CNFG/SYNCOUT)
      8. 7.3.8  双随机展频 (DRSS)
      9. 7.3.9  高侧 MOSFET 和栅极驱动 (BST)
      10. 7.3.10 软启动和从压降中恢复
      11. 7.3.11 保护特性
        1. 7.3.11.1 电源正常监视器
        2. 7.3.11.2 过流和短路保护
        3. 7.3.11.3 断续模式保护
        4. 7.3.11.4 热关断
      12. 7.3.12 两相单输出运行
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 活动模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 动力总成元件
        1. 8.1.1.1 输出电容器
        2. 8.1.1.2 输入电容器
        3. 8.1.1.3 EMI 滤波器
      2. 8.1.2 误差放大器和补偿
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计 1 — 具有宽输入电压范围的 5V、6A 同步降压稳压器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
          1. 8.2.1.2.1 选择开关频率
          2. 8.2.1.2.2 输入电容器选型
          3. 8.2.1.2.3 输出电容器
          4. 8.2.1.2.4 输出电压设定点
          5. 8.2.1.2.5 补偿器件
          6. 8.2.1.2.6 设置输入电压 UVLO
          7. 8.2.1.2.7 减轻 EMI、RDRSS
          8. 8.2.1.2.8 输入电容器选型
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 最佳设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 热设计和布局
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
      2. 9.1.2 开发支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
        1. 9.2.1.1 PCB 布局资源
        2. 9.2.1.2 热设计资源
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • VCL|31
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TPSM656x0 是一款同步降压直流/直流电源模块，属于采用架构 2 特性 (MINT 2) 的模块系列，具备减轻干扰和噪声的技术。该模块在 31 引脚增强型 HotRod QFN 封装中整合了控制器、功率 MOSFET 和功率电感器，可轻松实现高效率、高功率密度，低电磁干扰 (EMI) 设计。这些模块在 3.5V 至 65V 的宽输入电压范围内运行，从而简化了输入浪涌保护设计。

TPSM656x0 采用峰值电流模式控制架构，通过同步交错实现相位堆叠，通过并联相位可实现精确的均流控制，从而提供更高的输出电流。自动模式可在轻负载运行时实现频率折返，从而在轻负载下提供高效率，这有效延长了电池供电系统的运行时长。

36ns 的高侧开关超短导通时间有助于获得大降压比，实现从 24V 或 48V 输入到低电压轨的直接转换，从而降低系统成本和复杂性。该封装在关键电源引脚之间有多个 NC 引脚，从而改进了故障模式和影响分析 (FMEA) 结果。

器件信息
器件型号(2) 封装(1) 输出电流
TPSM65660 VCL (QFN-FCMOD, 31) 6A
TPSM65640(3) 4A
(1) 有关更多信息，请参阅 节 11。
(2) 请参阅器件比较表。
(3) 预发布信息（非预告信息）。
TPSM65660 典型应用电路典型应用电路
TPSM65660 典型效率，VOUT = 5V，fSW = 400kHz典型效率，VOUT = 5V，fSW = 400kHz

TPSM656x0 具有多种特性，可轻松满足 CISPR 11 和 CISPR 32 发射要求。首先，对称引脚排列提供了输入电容器的绝佳布置，再结合集成的高频输入电容，可实现超低的功率回路寄生电感有效值，从而降低开关损耗，并提升高输入电压和高开关频率下的 EMI 性能。可通过引脚选择的开关节点转换率控制功能进一步降低高频率下的发射强度。为了减小输入电容器纹波电流和 EMI 滤波器尺寸，使用 SYNCOUT 信号交错运行，180 度的相移功能非常适合级联、多通道或多相设计。高达 2.2MHz 的可通过电阻器调节的开关频率可同步至外部时钟源，以消除噪声敏感应用中的拍频。最后，TPSM656x0 具有双随机展频 (DRSS) 特性，这项独特的 EMI 抑制特性将低频三角调制与高频随机调制相结合，可分别在低频和高频的频段抑制干扰。

TPSM656x0 的其他特性包括：最高工作结温达 150°C、用于故障报告和输出电压监测的开漏电源正常 (PG) 指示器、用于输入 UVLO 保护的精密使能输入、单调启动至预偏置负载、由 VIN 或 BIAS 供电的双输入 VCC 偏置子稳压器、断续模式过载保护以及带自动恢复功能的热关断保护。

TPSM656x0 采用 4.2mm× 7.7mm 热增强型 31 引脚 eQFN 封装，通过额外的引脚间隙提升可靠性。TPSM656x0 采用倒装芯片可布线引线框 (FCRLF) 封装技术，凭借其可用电流能力、全生命周期可靠性及成本优势，适用于需要高功率密度的应用。宽输入电压范围、低静态电流消耗、高温运行、逐周期电流限制、低 EMI 特征和小设计尺寸可为需要增强稳健性和耐用性的应用提供出色的负载点稳压器设计。