ZHCSVV3B April   2024  – April 2025 TPS7H4011-SEP , TPS7H4011-SP

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件选项表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 电气特性 - 陶瓷 (CFP) 封装
    7. 6.7 电气特性 - 塑料 (HTSSOP) 封装
    8. 6.8 质量合格检验
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  VIN 和功率 VIN 引脚（VIN 和 PVIN）
      2. 8.3.2  电压基准
      3. 8.3.3  遥感和设置 VOUT
        1. 8.3.3.1 最小输出电压
        2. 8.3.3.2 最大输出电压
      4. 8.3.4  使能
      5. 8.3.5  故障输入 (FAULT)
      6. 8.3.6  电源正常 (PWRGD)
      7. 8.3.7  可调开关频率和同步
        1. 8.3.7.1 内部时钟模式
        2. 8.3.7.2 外部时钟模式
        3. 8.3.7.3 初级-次级同步
      8. 8.3.8  导通行为
        1. 8.3.8.1 软启动 (SS_TR)
        2. 8.3.8.2 安全启动至预偏置输出电压
        3. 8.3.8.3 跟踪和时序控制
      9. 8.3.9  保护模式
        1. 8.3.9.1 过流保护
          1. 8.3.9.1.1 高侧 1 过流保护 (HS1)
          2. 8.3.9.1.2 高侧 2 过流保护 (HS2)
          3. 8.3.9.1.3 COMP 关断
          4. 8.3.9.1.4 低侧过流灌电流保护
        2. 8.3.9.2 输出过压保护 (OVP)
        3. 8.3.9.3 热关断
      10. 8.3.10 误差放大器和环路响应
        1. 8.3.10.1 误差放大器
        2. 8.3.10.2 功率级跨导
        3. 8.3.10.3 斜率补偿
        4. 8.3.10.4 频率补偿
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1  运行频率
        2. 9.2.2.2  输出电感器选型
        3. 9.2.2.3  输出电容器选型
        4. 9.2.2.4  输入电容器选型
        5. 9.2.2.5  软启动电容器选型
        6. 9.2.2.6  上升 VIN 设定点（可配置 UVLO）
        7. 9.2.2.7  输出电压反馈电阻器选择
        8. 9.2.2.8  输出电压精度
        9. 9.2.2.9  斜率补偿要求
        10. 9.2.2.10 补偿元件选择
        11. 9.2.2.11 肖特基二极管
      3. 9.2.3 应用曲线
      4. 9.2.4 并联运行补偿
      5. 9.2.5 反相降压/升压转换器
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
      2. 10.1.2 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 机械数据

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DDW|44
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
8.3.9.1.2 高侧 2 过流保护 (HS2)

有时，HS1 电流限值不足以保护器件。例如，短路可能会非常激进，即使高侧仅在最短导通时间 tON 内开启，电流也会继续上升。为降低这种风险，TPS7H4011 实施了高侧过流保护 2 (HS2) 形式的次级过流保护。

当通过高侧 MOSFET 的电流达到或超过 IOC_HS2 时，达到 HS2 电流限值。为了防止电流持续增加，将跳过接下来的四个高侧周期，而低侧 MOSFET 保持导通状态，以便对电感器进行放电。图 8-18 展示了此操作的简化波形。

与 IOC_HS1 电流限制类似，IOC_HS2 的限制阈值也是在开环配置下测量的，这是由于测试能力的限制，而实际的短路事件是动态的并且发生在闭环系统中。

TPS7H4011-SP TPS7H4011-SEP 高侧 2 过流保护图 8-18 高侧 2 过流保护

正如 ILIM 引脚上的电压会设置高侧 1 电流限值一样，它也会设置高侧 2 电流限值。表 8-5 展示了使用与表 8-4 中的高侧 1 电流限制值相同的建议电阻分压器值而得到的高侧 2 电流限制值。

表 8-5 ILIM 连接
IOUT
（建议的最大直流）
(A)		 IOC_HS2
（典型值）
(A)		 RILIM_TOP
(kΩ)		 RILIM_BOT
(kΩ)
3 6.6 ∞ 0
6 11.1 100 49.9
9 17 49.9 100
12 23.9 0 ∞