ZHCSMT0K November   2004  – June 2025 TPS730

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 折返电流限制
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 可调节运行
      2. 7.1.2 电容器推荐
      3. 7.1.3 输入和输出电容器要求
      4. 7.1.4 降噪和前馈电容器要求
      5. 7.1.5 反向电流运行
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 最佳设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
        1. 7.5.1.1 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        2. 7.5.1.2 散热注意事项
        3. 7.5.1.3 功率耗散
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 TPS730YZQ NanoStar™ 晶圆芯片级信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLJ (April 2015)to RevisionK (June 2025)

  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
  • 向文档添加了新器件 (M3)Go
  • 更改了整个文档，以识别旧芯片和新芯片的功能和差异以及器件的可调节和固定版本Go
  • 更改了特性、应用 和说明 部分Go
  • 更改了首页图片Go
  • 更改了引脚配置和功能部分：将 DBV 引脚排列的 NR 引脚更改为 NC/NR，在引脚功能表中参照 TPS7A20 添加了 NC/NR 引脚行，以实现更低噪声的性能Go
  • 向典型特性 部分添加了新器件图表Go
  • 从概述部分的静态电流介绍中删除了（典型值为 170μA） Go
  • 更改了功能方框图部分Go
  • 更改了关断部分Go
  • 更改了“折返电流限制”部分Go
  • 更改了输入和输出电容器要求 部分Go
  • 更改了“反向电流运行”部分Go
  • 将详细设计过程部分中的输入电容器值从 0.1µF 更改为 1µF Go
  • 更改了应用曲线 部分Go
  • 向布局示例部分添加了新图片Go
  • 向订购信息表添加中了 M3 的信息Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLI (February 2011)to RevisionJ (April 2015)

  • 添加了 ESD 等级 表、特性说明 部分、器件功能模式、应用和实现 部分、电源相关建议 部分、布局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分Go
  • 将特性 列表中第四个项目符号更改为低噪声 Go
  • 更改了首页图片Go
  • 添加了 引脚配置和功能 部分Go
  • 向 典型特性 中添加了条件说明Go
  • 将订购信息 移动至器件命名规则 部分Go