ZHCSMT0K November   2004  – June 2025 TPS730

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 折返电流限制
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 可调节运行
      2. 7.1.2 电容器推荐
      3. 7.1.3 输入和输出电容器要求
      4. 7.1.4 降噪和前馈电容器要求
      5. 7.1.5 反向电流运行
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 最佳设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
        1. 7.5.1.1 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        2. 7.5.1.2 散热注意事项
        3. 7.5.1.3 功率耗散
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 TPS730YZQ NanoStar™ 晶圆芯片级信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.3 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值 标称值 最大值 单位
VIN 输入电压  2.7 5.5 V
VEN 使能电压 0 5.5 V
VOUT 输出电压 VFB 5 V
IOUT 输出电流 0 200 mA
TJ 工作结温 -40 125 °C
CIN 输入电容器（旧芯片） 0.1 1 µF
输入电容器（新芯片） 1
COUT 输出电容器 2.2(1)(2) 10 µF
CNR 降噪电容器(3) 0 10 nF
CFF 前馈电容器（旧芯片） 15 pF
前馈电容器（新芯片）(4) 0 10 100 nF
R2 下部反馈电阻器（旧芯片） 30.1 kΩ
FEN 启用切换频率（新芯片） 10 kHz
(1) 如果未使用 CFF 或 VOUT(nom) < 1.8V，则建议的最小 COUT = 4.7µF。
(2) 仅新芯片的最小有效电容为 0.47µF。
(3) 仅旧芯片。新芯片没有降噪引脚。有关更多信息，请参阅引脚功能表。 
(4) 前馈电容器是可选的，不是确保稳定性所必需的。