ZHCSMT0K November   2004  – June 2025 TPS730

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 折返电流限制
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 可调节运行
      2. 7.1.2 电容器推荐
      3. 7.1.3 输入和输出电容器要求
      4. 7.1.4 降噪和前馈电容器要求
      5. 7.1.5 反向电流运行
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 最佳设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
        1. 7.5.1.1 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        2. 7.5.1.2 散热注意事项
        3. 7.5.1.3 功率耗散
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 TPS730YZQ NanoStar™ 晶圆芯片级信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

在建议的工作温度范围内测得，TJ = –40°C 至 +125°C，VEN = VIN，VIN = VOUT(nom) + 1V，IOUT = 1mA，COUT = 10µF，CNR = 0.01µF（除非另有说明）。所有典型值均在 TJ= 25°C 下测得。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
VIN 输入电压范围 (1) 2.7 5.5 V
IOUT 持续输出电流 0 200 mA
VFB 内部基准 (TPS73001) 1.201 1.225 1.25 V
VOUT 输出电压范围 (TPS73001) VFB 5.5 – VDROPOUT V
输出电压精度 0µA < IOUT < 200mA，VOUT+ 1V < VIN < 5.5V -2% VOUT(nom) 2%
ΔVOUT/ΔVIN 线路调节(1) VOUT + 1V ≤ VIN ≤ 5.5V 0.05 %/V
ΔVOUT/ΔIOUT 负载调整率 0µA ≤ IOUT ≤ 200mA 5 mV
VDO(2) 压降电压  VIN= VOUT - 0.1V，IOUT = 200mA  120 210 mV
ICL 输出电流限制 VOUT = 0V（旧芯片） 285 600 mA
VIN = VOUT(NOM) + 1V，VOUT = 0.9 x VOUT(NOM)（仅限新芯片） 320 460
ISC 短路电流限制 VOUT = 0V（新芯片） 175 mA
IGND 静态电流（GND 电流） 0µA ≤ IO ≤ 200mA（旧芯片） 170 220 µA
0µA ≤ IO ≤ 200mA（新芯片） 250 1000
ISHDN 关断电流 VEN = 0V，2.7V < VI < 5.5V（旧芯片）(3) 0.07 1 µA
VEN = 0V，2.7V < VI < 5.5V（新芯片）(3) 0.01 1
IFB 反馈引脚电流  VFB = 1.8V（旧芯片） 1 µA
VFB = 1.8V（新芯片） 0.05
PSRR 电源抑制比  f = 100Hz IOUT = 10mA（旧芯片） 70 dB
IOUT = 10mA（新芯片） 64
IOUT = 200mA（旧芯片） 68
IOUT = 200mA（新芯片） 65
f = 10kHz IOUT = 200mA（旧芯片） 70
IOUT = 200mA（新芯片） 49
f = 100kHz IOUT = 200mA（旧芯片） 43
IOUT = 200mA（新芯片） 39
Vn 输出噪声电压  BW = 200Hz 至 100kHz，IOUT = 200mA CNR = 0.01µF 33 µVRMS
BW = 200Hz 至 100kHz，IOUT = 200mA （新芯片）(4) 69
tSTR 启动时间  RL = 14Ω，COUT = 1µF CNR = 0.001µF 50 µs
CNR = 0.0047µF 50
CNR = 0.01µF 50
（新芯片）(4) 500
VEN(HI) 高电平使能输入电压 2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V  1.7 VIN V
2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V（新芯片） 0.85 VIN
VEN(LOW) 低电平使能输入电压 2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V 0 0.7 V
2.7V ≤ VIN ≤ 5.5V（新芯片） 0 0.425
IEN 使能引脚电流 VEN = 0V -1 1 µA
VUVLO UVLO 阈值 VIN 上升（旧芯片） 2.25 2.65 V
VIN 上升（新芯片） 1.32 1.6
VUVLO(HYST) UVLO 迟滞 VCC 上升（旧芯片） 100 mV
VCC 上升（新芯片） 130
(1) 最小 VIN 为 2.7V 或 VOUT + VDO，以较大者为准。
(2) 由于最小 VIN = 2.7V，因此未测量 TPS73018 和 TPS73025 的压降。
(3) 对于可调节版本，此参数仅在施加 VIN 之后适用；然后 VEN 转换为高电平至低电平。
(4) 新芯片没有降噪引脚。