ZHCSMT0K November   2004  – June 2025 TPS730

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.3.2 关断
      3. 6.3.3 折返电流限制
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 可调节运行
      2. 7.1.2 电容器推荐
      3. 7.1.3 输入和输出电容器要求
      4. 7.1.4 降噪和前馈电容器要求
      5. 7.1.5 反向电流运行
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 最佳设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
        1. 7.5.1.1 对于改进 PSRR 和噪声性能的电路板布局布线建议
        2. 7.5.1.2 散热注意事项
        3. 7.5.1.3 功率耗散
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 TPS730YZQ NanoStar™ 晶圆芯片级信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1.3 输入和输出电容器要求

TPS730 旧芯片需要 0.1μF 或更大的陶瓷输入旁路电容器连接在 IN 和 GND 之间，并靠近该器件，以实现稳定性并改善瞬态响应、噪声抑制和纹波抑制。如果可能出现较大、快速上升时间的负载瞬态或者器件距离电源几英寸远，则可能需要一个更大电容值的输入电容器。

TPS730 新芯片需要 1μF 或更大的陶瓷输入旁路电容器连接在 IN 和 GND 之间，并靠近该器件，以实现稳定性并改善瞬态响应、噪声抑制和纹波抑制。如果可能出现较大、快速上升时间的负载瞬态或者器件距离电源几英寸远，则可能需要一个更大电容值的输入电容器。

与大多数低压降稳压器一样，TPS730 需要在 OUT 和 GND 之间连接一个输出电容器，以稳定内部控制环路。建议的最小电容为 2.2μF。只要电容不随温度的变化而显著变化，任何 2.2μF 或更大的陶瓷电容器都适用。如果负载电流预计不会超过 100mA，则可以使用 1μF 陶瓷电容器。如果不使用前馈电容器（例如在单位增益配置中）或选择小于 1.8V 的输出电压，则建议使用的最小输出电容器是 4.7μF 而非 2.2μF。表 7-1 列出了几种常见配置的建议输出电容器尺寸。

表 7-1 输出电容器的大小
条件 COUT (µF)
VOUT < 1.8V 或 CFF = 0nF 4.7
VOUT > 1.8V，IOUT > 100mA 2.2
VOUT > 1.8V，IOUT < 100mA 1