ZHCSYZ0 September 2025 TMF0064
PRODUCTION DATA
表 6-1 是 TMF0064 器件 64768 位 FRAM 部分的存储器映射，配置为 253 页、每页 32 字节。八个相邻页构成一个 256 字节块。对 FRAM 存储器进行编程时，使用 32 字节的易失性暂存缓冲区。写入 FRAM 存储器的过程包括两个步骤：首先，将数据写入暂存缓冲区；然后，通过读取确认正确接收数据的暂存缓冲区来验证数据。如果缓冲区内容正确，则发出“复制暂存区”命令，将暂存缓冲区复制到 FRAM 存储器。在对存储器进行编程时，该过程会验证数据完整性。请参阅节 6.5.4了解对 TMF0064 的 7680 位 FRAM 部分进行编程和读取的详细信息。
| 地址范围 | 类型(1) | 说明 | 保护代码（注释） |
|---|---|---|---|
| 0000h 至 00FFh | R/(W) | 数据内存页 0 至 7（块 0） | （保护由地址 1FA0h 控制） |
| 0100h 至 01FFh | R/(W) | 数据内存页 8 至 15（块 1） | （保护由地址 1FA1h 控制） |
| 0200h 至 02FFh | R/(W) | 数据内存页 16 至 23（块 2） | （保护由地址 1FA2h 控制） |
| 0300h 至 03FFh | R/(W) | 数据内存页 24 至 31（块 3） | （保护由地址 1FA3h 控制） |
| 0400h 至 04FFh | R/(W) | 数据内存页 32 至 39（块 4） | （保护由地址 1FA4h 控制） |
| 0500h 至 05FFh | R/(W) | 数据内存页 40 至 47（块 5） | （保护由地址 1FA5h 控制） |
| 0600h 至 06FFh | R/(W) | 数据内存页 48 至 55（块 6） | （保护由地址 1FA6h 控制） |
| 0700h 至 07FFh | R/(W) | 数据内存页 56 至 63（块 7） | （保护由地址 1FA7h 控制） |
| ... | ... | ... | ... |
| 1D00h 至 1DFFh | R/(W) | 数据内存页 232 至 239（块 29） | （保护由地址 1FBDh 控制） |
| 1E00h 至 1EFFh | R/(W) | 数据内存页 240 至 247（块 30） | （保护由地址 1FBEh 控制） |
| 1F00h 至 1F9Fh | R/(W) | 数据内存页 248 至 252（块 31） | （保护由地址 1FBFh 控制） |