ZHCSYZ0 September   2025 TMF0064

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 功能测试
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 64768 位 FRAM
      2. 6.3.2 FRAM 状态存储器
      3. 6.3.3 地址寄存器和传输状态
      4. 6.3.4 将数据写入 FRAM
      5. 6.3.5 TMF0064 器件 ID
      6. 6.3.6 总线端接
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 功能测试的测试程序
        1. 6.4.1.1 多目标配置
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 串行通信
      2. 6.5.2 初始化
      3. 6.5.3 ROM 命令
        1. 6.5.3.1 读取 ROM 命令 [33h]
        2. 6.5.3.2 匹配 ROM 命令 [55h]
        3. 6.5.3.3 跳过 ROM 命令 [CCh]
        4. 6.5.3.4 搜索 ROM 命令 [F0h]
        5. 6.5.3.5 恢复命令 [A5h]
        6. 6.5.3.6 超速跳过 ROM 命令 [3Ch]
        7. 6.5.3.7 超速匹配 ROM 命令 [69h]
      4. 6.5.4 存储器功能命令
        1. 6.5.4.1 写入暂存区命令 [0Fh]
        2. 6.5.4.2 读取暂存区命令 [AAh]
        3. 6.5.4.3 复制暂存区 [55h]
        4. 6.5.4.4 读取存储器 [F0h]
        5. 6.5.4.5 扩展读取存储器 [A5h]
        6. 6.5.4.6 存储器命令流程图
      5. 6.5.5 SDQ 信令
        1. 6.5.5.1 复位和存在脉冲
        2. 6.5.5.2 写入读取时隙
      6. 6.5.6 空闲
      7. 6.5.7 CRC 生成
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装信息
    2. 10.2 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

6.3.2 FRAM 状态存储器

如表 6-1 所示，TMF0064 的数据存储器由 32 个连续的 FRAM 存储块组成。块 0 至 30 各为 256 字节，由八个相邻的内存页构成。块 31 为 160 字节，由五个相邻的存储器页构成（一个数据存储器页为 32 个相邻的存储器字节）。

除数据存储器外，TMF0064 还包含起始地址为 1FA0h 的状态存储器，如表 6-2 所示。状态存储器中的寄存器页包含 32 个保护控制字节，每个字节用于锁定存储器块和寄存器页。

这 32 个保护控制字节和存储器块锁定字节共同控制对 32 个数据存储器块的访问。默认情况下，存储器块设置为开放访问。保护字节值 55h 会将相应的存储器块设置为写保护模式，而保护字节值 AAh 会将相应的存储器块设置为 EPROM 模式。

如果存储器块锁定字节编程为 55h 或 AAh，则会为所有受写保护的数据存储器块设置复制保护（EPROM 模式下的存储器块不受影响）。同样，如果将寄存器页锁定字节编程为 55h 或 AAh，则会为整个寄存器页设置复制保护。

在 FRAM 器件中，数字信息以极化形式存储在电介质中。极化可能会以与温度相关的速率丢失；温度越高，去极化速率越高。此规则确定了电气特性表格中的数据保留情况。

将存储器位置设置为写保护模式可以进行复制暂存区操作，但会阻止数据更改。这支持使用相同的数据对存储器重新编程，从而刷新极化以延长数据保留时间。

与写保护相比，复制保护会阻止复制暂存区功能。只有在所有受写保护的块和相关的保护控制字节设置为最终值后，才使用复制保护特性。请注意，复制保护不会阻止器件间的数据复制。当设置为 55h 或 AAh 时，保护控制寄存器和锁定字节会自我写保护。任何其他设置都允许不受限制的写入访问。

地址 1FC3h 和 1FC4h 可用于对可选的制造商 ID 进行编程。主机读取这些值，例如，将最终用户产品与 TMF0064 关联。在地址 1FC2h 处，TMF0064 存储了一个用于锁定制造商 ID 的字节，默认值为 00h。向该位置写入 AAh 或 55h 后，制造商 ID 和锁定字节会永久受写保护。

表 6-2 FRAM 状态存储器映射
地址范围类型(1)说明保护代码（注释）
1FA0hR/(W)保护控制字节（块 0）55h：写保护块 0
AAh：EPROM 模式块 0
55h 或 AAh：写保护 1FA0h
1FA1hR/(W)保护控制字节（块 1）55h：写保护块 1
AAh：EPROM 模式块 1
55h 或 AAh：写保护 1FA1h
1FA2hR/(W)保护控制字节（块 2）55h：写保护块 2
AAh：EPROM 模式块 2
55h 或 AAh：写保护 1FA2h
1FA3hR/(W)保护控制字节（块 3）55h：写保护块 3
AAh：EPROM 模式块 3
55h 或 AAh：写保护 1FA3h
1FA4hR/(W)保护控制字节（块 4）55h：写保护块 4
AAh：EPROM 模式块 4
55h 或 AAh：写保护 1FA4h
1FA5hR/(W)保护控制字节（块 5）55h：写保护块 5
AAh：EPROM 模式块 5
55h 或 AAh：写保护 1FA5h
1FA6hR/(W)保护控制字节（块 6）55h：写保护块 6
AAh：EPROM 模式块 6
55h 或 AAh：写保护 1FA6h
1FA7hR/(W)保护控制字节（块 7）55h：写保护块 7
AAh：EPROM 模式块 7
55h 或 AAh：写保护 1FA7h
............
1FBDhR/(W)保护控制字节（块 29）55h：写保护块 29
AAh：EPROM 模式块 29
55h 或 AAh：写保护 1FBDh
1FBEhR/(W)保护控制字节（块 30）55h：写保护块 30
AAh：EPROM 模式块 30
55h 或 AAh：写保护 1FBEh
1FBFhR/(W)保护控制字节（块 31）55h：写保护块 31
AAh：EPROM 模式块 31
55h 或 AAh：写保护 1FBFh
1FC0hR/(W)存储器块锁定55h 或 AAh：复制保护
受写保护的数据存储器页面
55h 或 AAh：写保护 1FC0h
1FC1hR/(W)寄存器页面锁定55h 或 AAh：复制保护 1FA0h-1FC1h
1FC2hR出厂字节55h：无有效制造商 ID
AAh：1FC3h-1FC4h 是有效制造商 ID
1FC3hR制造商 ID
1FC4hR制造商 ID
1FC5hRRESERVED
(1) R = 读取，W = 写入