ZHCSK83C September   2019  – June 2025 TMCS1100

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 典型特性
      1. 6.10.1 绝缘特性曲线
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 精度参数
      1. 7.1.1 灵敏度误差
      2. 7.1.2 偏移量误差和偏移量误差漂移
      3. 7.1.3 非线性误差
      4. 7.1.4 电源抑制比
      5. 7.1.5 共模抑制比
      6. 7.1.6 基准电压抑制比
      7. 7.1.7 外部磁场误差
    2. 7.2 瞬态响应参数
      1. 7.2.1 压摆率
      2. 7.2.2 传播延迟和响应时间
      3. 7.2.3 电流过载参数
      4. 7.2.4 CMTI，共模瞬态抗扰度
    3. 7.3 安全工作区
      1. 7.3.1 持续直流或正弦交流电流
      2. 7.3.2 重复脉冲电流 SOA
      3. 7.3.3 单粒子电流能力
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能模块图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 电流输入
      2. 8.3.2 输入隔离
      3. 8.3.3 高精度信号链
        1. 8.3.3.1 温度稳定性
        2. 8.3.3.2 寿命和环境稳定性
        3. 8.3.3.3 频率响应
        4. 8.3.3.4 瞬态响应
      4. 8.3.4 外部基准电压输入
      5. 8.3.5 电流检测可测量范围
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 断电行为
  10. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 总误差计算示例
        1. 9.1.1.1 室温误差计算
        2. 9.1.1.2 整个温度范围内的误差计算
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 开发支持
    2. 10.2 文档支持
      1. 10.2.1 相关文档
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.9 电气特性

在 TA = 25°C，VS = 5V，VREF = 2.5V 条件下测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输出
灵敏度(7) TMCS1100A1 50 mV/A
TMCS1100A2 100 mV/A
TMCS1100A3 200 mV/A
TMCS1100A4 400 mV/A
灵敏度误差 0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，TA = 25ºC ±0.2% ±0.7%
灵敏度误差，包括寿命和环境漂移(5) 0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，TA = 25ºC -0.47% ±1.02%
灵敏度误差 0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，TA = –40ºC 至 +85ºC ±0.4% ±0.85%
0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，TA = –40ºC 至 +125ºC ±0.5% ±1.15%
非线性误差 VOUT = 0.5V 至 VS - 0.5V ±0.05%
VOE 输出电压失调误差(1) TMCS1100A1 ±0.4 ±3 mV
TMCS1100A2 ±0.6 ±5 mV
TMCS1100A3 ±0.8 ±8 mV
TMCS1100A4 ±2.2 ±19 mV
输出电压温漂 TMCS1100A1，TA = –40°C 至 125°C ±3.7 ±12 µV/℃
TMCS1100A2，TA = –40°C 至 125°C ±4 ±19 µV/℃
TMCS1100A3，TA = –40°C 至 125°C ±8.2 ±35 µV/℃
TMCS1100A4，TA = –40°C 至 125°C ±26 ±138 µV/℃
IOS 失调电压误差，RTI(1)(3) TMCS1100A1 ±8 ±60 mA
TMCS1100A2 ±6 ±50 mA
TMCS1100A3 ±4 ±40 mA
TMCS1100A4 ±5.5 ±47.5 mA
失调电压误差温度漂移，RTI(3) TMCS1100A1，TA = –40°C 至 125°C ±74 ±240 µA/°C
TMCS1100A2，TA = –40°C 至 125°C ±40 ±190 µA/°C
TMCS1100A3，TA = –40°C 至 125°C ±41 ±175 µA/°C
TMCS1100A4，TA = –40°C 至 125°C ±65 ±345 µA/°C
PSRR 电源抑制比 TMCS1100A1 – TMCS1100A3，VS = 3V 至 5.5V，VREF = VS/2，TA= –40ºC 至 +125ºC ±1 ±2 mV/V
TMCS1100A4，VS = 4.5V 至 5.5V，VREF = VS/2，TA= –40ºC 至 +125ºC ±1 ±3 mV/V
CMTI 共模瞬态抗扰度 50 kV/µs
CMRR 共模抑制比，RTI(3) 直流到 60Hz 5 uA/V
RVRR 基准电压抑制比，以输出为基准 TMCS1100A1 – TMCS1100A3，VREF = 0.5V 至 4.5V 1 3.5 mV/V
TMCS1100A4，VREF = 0.5V 至4.5V 1.5 8 mV/V
噪声密度，RTI(3) TMCS1100A1 380 μA/√Hz
TMCS1100A2 330 μA/√Hz
TMCS1100A3 300 μA/√Hz
TMCS1100A4 225 μA/√Hz
输入
RIN 输入导体电阻 IN+ 至 IN- 1.8 mΩ
输入导体电阻温度漂移 TA= -40ºC 至 +125ºC 4.4 μΩ/°C
G 磁耦合系数 TA = 25ºC 1.1 mT/A
IIN,max 允许的持续 RMS 电流(4) TA = 25ºC 30 A
TA = 85ºC 25 A
TA = 105ºC 22.5 A
TA = 125ºC 16 A
VREF 基准输入电压 VGND VS V
VREF 输入电流 VREF = GND，VS ±1 ±5 µA
VREF 外部源阻抗 驱动 VREF 的外部电路的最大源阻抗 5 kΩ
电压输出
ZOUT 闭环输出阻抗 f = 1Hz 至 1kHz 0.2 Ω
f = 10kHz 2 Ω
最大容性负载 无持续振荡 1 nF
短路输出电流 VOUT 接地短路，对 VS 短路 90 mA
相对于 VS 电源轨的摆幅 RL = 10kΩ 至 GND，TA = -40ºC 至 +125ºC VS - 0.02 VS - 0.1 V
相对于 GND 的摆幅，电流驱动 RL = 10kΩ 至 GND，TA = -40ºC 至 +125ºC VGND + 5 VGND + 10 mV
相对于 GND 的摆幅，零电流 TMCS1100A1 – TMCS1100A3，RL = 10kΩ 至 GND，TA = –40ºC 至 +125ºC，VREF = GND，IIN = 0A VGND + 5 VGND + 20 mV
TMCS1100A4，RL = 10kΩ 至 GND，TA = –40ºC 至 +125ºC，VREF = GND，IIN = 0A VGND + 20 VGND + 55 mV
频率响应
BW 带宽(6) –3dB 带宽 80 kHz
SR 压摆率(6) 单个瞬态阶跃期间输出放大器的压摆率。 1.5 V/µs
tr 响应时间(6) 输入电流阶跃达到最终值的 90% 与传感器输出达到其最终值的 90% 之间的时间，用于 1V 输出转换。 6.5 µs
tp 传播延迟(6) 输入电流阶跃达到最终值的 10% 与传感器输出达到其最终值的 10% 之间的时间，用于 1V 输出转换。 4 µs
tr,SC 电流过载响应时间(6) 输入电流阶跃达到最终值的 90% 与传感器输出达到其最终值的 90% 之间的时间。输入电流阶跃振幅是满量程输出范围的两倍。 5 µs
tp,SC 电流过载传播延迟(6) 输入电流阶跃达到最终值的 10% 与传感器输出达到其最终值的 10% 之间的时间。输入电流阶跃振幅是满量程输出范围的两倍。 3 µs
电流过载恢复时间 从导致输出饱和条件的电流结束到有效输出的时间 15
µs
电源
IQ 静态电流 TA = 25ºC 4.5 5.5 mA
TA = -40ºC 至 +125ºC 6 mA
上电时间 从 VS > 3V 到有效输出的时间 25 ms
(1) 排除外部磁场的影响。有关计算由外部磁场引起的误差的详细信息，请参阅精度参数 部分。
(3) RTI = 以输入为参考。输出电压除以器件灵敏度，以将信号与输入电流相关联。请参阅参数测量信息 部分。
(4) 受结温热限制。当器件安装在 TMCS1100EVM 上时适用。更多详细信息，请参阅安全工作区部分。
(5) 基于三批 AEC-Q100 认证应力测试结果的寿命和环境漂移规格。典型值是来自最坏情况应力测试条件的总体平均值+1σ。最小值/最大值是被测器件总体平均值 ±6σ；在 AEC-Q100 认证中进行测试的器件在所有应力条件下都保持在最小/最大限值内。有关更多详细信息，请参阅寿命和环境稳定性。
(6) 有关器件频率和瞬态响应的详细信息，请参阅瞬态响应 部分。
(7) 基于 TMCS1100EVM PCB 布局的中心化参数。请参阅布局 部分。器件必须在最高结温以下运行。