ZHCSMZ5E April   2020  – February 2026 TLV841

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输入电压 (VDD)
        1. 7.3.1.1 VDD 迟滞
        2. 7.3.1.2 VDD 瞬态抗扰度
      2. 7.3.2 SENSE 输入 (TLV841S)
        1. 7.3.2.1 SENSE 迟滞
        2. 7.3.2.2 抗SENSE引脚电压瞬态干扰
      3. 7.3.3 仅适用于 TLV841C 的用户可编程复位延时时间
      4. 7.3.4 仅适用于 TLV841M 的手动复位 (MR) 输入
      5. 7.3.5 输出逻辑
        1. 7.3.5.1 RESET 输出，低电平有效
        2. 7.3.5.2 RESET 输出，高电平有效
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正常运行 (VDD > VPOR)
      2. 7.4.2 低于上电复位 (VDD < VPOR)
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计 1：具有按钮功能的可调电压监控器
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
      4. 8.2.4 应用曲线：TLV841EVM
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 时序要求

VDDMIN ≤ VDD ≤ 5.5V，CT = MR = 开路，RESET 上拉电阻器 Rpull-up = 100kΩ 至 VDD，输出负载为 CLOAD = 10pF，在自然通风条件下的工作温度范围 –40℃ 至 125℃（除非另有说明）。典型值为 TA = 25°C 条件下的值
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tP_HL VDD 降至低于 VIT– 时的传播检测延迟 VDD = (VIT+ + 10%) 至 (VIT– – 10%) (1) 30 50 µs
tD 复位延时时间（TLV841C 型号） CT 引脚 = 开路或常闭 40 80 µs
CT 引脚 = 10nF 6.2 ms
CT 引脚 = 1µF 619 ms
tD 复位延时时间（TLV841S 和 TLV841M 型号）(4) 型号 A(2) 40 80 µs
型号 B(2) 2 ms
型号 C(2) 10 ms
型号 D(2) 30 ms
型号 E(2) 50 ms
型号 F(2) 80 ms
型号 G(2) 100 ms
型号 H(2) 150 ms
型号 I(2) 200 ms
tGI_VIT– 抗干扰能力 VIT–
5% VIT– 过驱(3)		 10 µs
tSTRT 启动延迟 (5) 300 µs
tMR_PW 毛刺抑制 MR 引脚 500 ns
tMR_RES 从 MR 低电平到复位的传播延迟 VDD = 3.3V，MR < VMR_L 1 µs
tMR_tD 从释放 MR 到将复位置为无效的延迟 VDD = 3.3V，
MR = VMR_L 至 VMR_H  		 3 µs
(1) tP_HL 从阈值跳闸点 (VIT) 到低电平有效型号的 VOL 和高电平有效型号的 VOH 的测量值。 
(2) 有关型号说明，请参阅器件命名规则表。对于 TLV841M 和 TLV841C，VDD 转换从 VIT– – 10% 至 VIT+ + 10%；对于 TLV841S，VSENSE 转换从 VIT– – 10% 至 VIT+ + 10%
(3) 对于 TLV841M 和 TLV841C，过驱 % = [(VDD/VIT–) – 1] × 100%；对于 TLV841S，过驱 % = [(VSENSE/ VIT–) – 1] × 100%
(4) 取决于具体的设计和特性
(5) 当 VDD 从小于指定的最小 VDD 开始，然后超过 VPOR 时，复位在启动延迟 (tSTRT) 后释放。对于 TLV841C 型号，CT 引脚上的电容器会将 tD 延迟增加到 tSTRT 时间