ZHCSMZ5E
April 2020 – February 2026
TLV841
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
器件比较
5
引脚配置和功能
6
规格
6.1
绝对最大额定值
6.2
ESD 等级
6.3
建议运行条件
6.4
热性能信息
6.5
电气特性
6.6
时序要求
6.7
时序图
6.8
典型特性
7
详细说明
7.1
概述
7.2
功能方框图
7.3
特性说明
7.3.1
输入电压 (VDD)
7.3.1.1
VDD 迟滞
7.3.1.2
VDD 瞬态抗扰度
7.3.2
SENSE 输入 (TLV841S)
7.3.2.1
SENSE 迟滞
7.3.2.2
抗SENSE引脚电压瞬态干扰
7.3.3
仅适用于 TLV841C 的用户可编程复位延时时间
7.3.4
仅适用于 TLV841M 的手动复位 (MR) 输入
7.3.5
输出逻辑
7.3.5.1
RESET 输出,低电平有效
7.3.5.2
RESET 输出,高电平有效
7.4
器件功能模式
7.4.1
正常运行 (VDD > VPOR)
7.4.2
低于上电复位 (VDD < VPOR)
8
应用和实施
8.1
应用信息
8.2
典型应用
8.2.1
设计 1:具有按钮功能的可调电压监控器
8.2.2
设计要求
8.2.3
详细设计过程
8.2.4
应用曲线:TLV841EVM
8.3
电源相关建议
8.4
布局
8.4.1
布局指南
8.4.2
布局示例
9
器件和文档支持
9.1
器件命名规则
9.2
文档支持
9.2.1
相关文档
9.3
接收文档更新通知
9.4
支持资源
9.5
商标
9.6
静电放电警告
9.7
术语表
10
修订历史记录
11
机械、封装和可订购信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
YBH|4
MXBG407
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
zhcsmz5e_oa
zhcsmz5e_pm
6.7
时序图
A.
开漏时序图假设
RESET
引脚通过外部上拉电阻器连接到 VDD。
图 6-1
TLV841SxxL (SENSE) 低电平有效输出的时序图
[开漏和推挽输出拓扑]
A.
开漏时序图假设 RESET 引脚通过外部上拉电阻器连接到 VDD。
图 6-2
TLV841SxxH (SENSE) 高电平有效输出的时序图
[开漏和推挽输出拓扑]
A.
开漏时序图假设
RESET
/RESET 引脚通过外部上拉电阻器连接到 VDD。
B.
t
D (no cap)
包含在 t
STRT
延时时间内。如果 t
D
延迟通过连接到 CT 引脚的外部电容器进行编程,则 t
D
编程的时间将添加到启动时间,VDD 压摆率= 1V/μs。
C.
请注意,VDD 下降压摆率为(压摆率 > 1V/μs),并产生上图所示的
RESET
结果。如果压摆率慢得多或 VDD 衰减时间大于传播延迟 (t
D_HL
),则
RESET
行为类似于
图 6-1
。
图 6-3
TLV841CxxL (CT) 低电平有效输出的时序图
[开漏和推挽输出拓扑]
A.
开漏时序图假设
RESET
/RESET 引脚通过外部上拉电阻器连接到 VDD。
图 6-4
TLV841MxxL 低电平有效输出 (
MR
) 的时序图
[开漏和推挽输出拓扑]