ZHCSYG5F November 1983 – June 2025 TLC372
PRODUCTION DATA
该器件使用 CMOS 技术制造,包含两个独立的电压比较器,每个比较器采用单电源供电设计。如果两个电源之间的电压差在 3V 至 16V 之间,也可由双电源供电运行。每个器件都具有极高的输入阻抗(通常大于 1012Ω),因此可以直接连接高阻抗源。输出为 N 通道漏极开路配置,可连接来实现正逻辑线与关系。
TLC372 具有内部静电放电 (ESD) 保护电路,并根据人体放电模型测试获评 1000V ESD 等级。不过,在处理该器件时应小心,因为接触 ESD 可能导致器件参数性能下降。
TLC372C 的特点是可在 0°C 至 70°C 的温度范围内运行。TLC372I 的特点是可在 −40°C 至 85°C 的温度范围内运行。TLC372M 的特点是可在 –55°C 至 125°C 的整个军用温度范围内运行。TLC372Q 的特点是可在 −40°C 至 125°C 的温度范围内运行。
符号(每个比较器)