ZHCSX30 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSX30A September 2024 – October 2025 RES60A-Q1

ADVANCE INFORMATION

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

DWV|8

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsx30a_oa

6.3.1 绝对容差和比率式容差

RES60A-Q1 的电阻通过以下公式来描述：

方程式 1.

R_{HV} = R_{HVnom} \times (1± t_{absRHV}) = R_{HVnom} \times (1± t_{RHV}) \times (1± t_{SiCr})

方程式 2.

R_{LV} = R_{LVnom} \times (1± t_{absRLV}) = R_{LVnom} \times (1± t_{RLV}) \times (1± t_{SiCr})

R_HVnom 和 R_LVnom 是每个电阻器的标称值。参数 t_abs 是误差项，用于描述相关 RES60A-Q1 电阻器的绝对容差，使得 |t_abs| ≤ 15%。例如，t_abs = 5% 的标称 12.5MΩ 电阻实际上测量为 13.125MΩ。此误差类似于大多数单元件电阻器的指定绝对容差，或更专业的电阻分压器的端到端容差。

注： RES60A-Q1 不是激光修整器件。RES60A-Q1 的每个比率都有一个专门针对该比率进行优化的独特芯片，可提供实现极低温漂所需的精确匹配和一致热特性。

绝对容差主要取决于 SiCr 电阻率 (t_SiCr) 的变化。给定 RES60A-Q1 的两个电阻器呈叉指状，并且来自相同的晶圆区域；因此，t_SiCr 对于两个电阻器而言实际上相同，但 t_SiCr 因器件而异。

以下示例显示，当以比例式考虑分压器时，t_SiCr 误差项会消失。参数 t_Rx 是残留误差项，用于描述给定 RES60A-Q1 器件每个电阻的剩余有效容差（在考虑通用 t_SiCr 之后）。

方程式 3.

\frac{R_{HV}}{R_{LV}} = \frac{R_{HVnom} \times (1± t_{RHV}) \times (1± t_{SiCr})}{R_{LVnom} \times (1± t_{RLV}) \times (1± t_{SiCr})} = \frac{R_{HVnom} \times (1± t_{RHV})}{R_{LVnom} \times (1± t_{RLV})} = G_{nom} \times \frac{(1± t_{RHV})}{(1± t_{RLV})} = G

方程式 4.

\frac{R_{HV}}{R_{LV} + R_{HV}} = \frac{R_{HVnom} \times (1± t_{RHV}) \times (1± t_{SiCr})}{R_{LVnom} \times (1± t_{RLV}) \times (1± t_{SiCr}) + R_{HVnom} \times (1± t_{RHV}) \times (1± t_{SiCr})} = \frac{R_{HVnom} \times (1± t_{RHV})}{R_{LVnom} \times (1± t_{RLV}) + R_{HVnom} \times (1± t_{RHV})}

t_RHV 和 t_RLV 的独立值描述了每个电阻的容差，但不是高斯意义上的独立变量。相反，这些值之间的匹配（根据设计）用于在电阻器之间实现高度稳定的比率关系，从而提供极低误差的有效比率。

RES60A-Q1 的规定最大初始分压器分压比容差为 0.1%，这意味着对于给定的分压器，实际分压器分压比 G 和标称分压器分压比 G_nom 之间的关系描述如下：

方程式 5.

G = \frac{R_{HV}}{R_{LV}} = G_{nom} \times (1± t_{D})

使得 t_D ≤ 0.1%。RES60A-Q1 的 t_D 限制通过生产过程中进行的精确参数测试严格执行，测试时分压器电压从 V_D = 250V 扫描至 V_D = 1000V。单元元件电阻器没有与 t_D 等效的，因为除了等级限制之外，不考虑任何器件间匹配。在其他分压器数据表中，t_D 的等效值通常称为比率容差。

由于在最终测试阶段会筛除所有不符合这些标准的器件，因此此公式可以与前面的公式一起用来证明给定比率下 t_RHV 和 t_RLV 的有效范围限。因此，尽管绝对容差范围较宽，为 ±15%，t_RHV 和 t_RLV 的最坏情况初始绝对误差彼此之间 仍大约在 ±0.115% 以内。