ZHCSTZ3 December   2023 RES11A

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 参数测量信息
    1. 6.1 直流测量配置
    2. 6.2 交流测量配置
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 比例匹配
      2. 7.3.2 比例漂移
      3. 7.3.3 可预测电压系数
      4. 7.3.4 超低噪声
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 分立式差分放大器
        1. 8.1.1.1 差分放大器共模抑制分析
      2. 8.1.2 分立式仪表放大器
        1. 8.1.2.1 仪表放大器共模抑制分析
      3. 8.1.3 全差分放大器
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 共模转换输入级
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
        1. 9.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 9.1.1.2 TINA-TI™ 仿真软件(免费下载)
        3. 9.1.1.3 TI 参考设计
        4. 9.1.1.4 滤波器设计工具
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带封装信息
    2. 11.2 机械数据

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DDF|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

比例匹配

RES11A 的电阻通过以下公式来描述:

方程式 28. R IN1 = R INnom × 1+ t abs = R INnom × 1+ t RIN1 × 1+ t SiCr
方程式 2. R IN2 = R INnom × 1+ t RIN2 × 1+ t SiCr
方程式 3. R G1 = R Gnom × 1+ t RG1 × 1+ t SiCr
方程式 4. R G2 = R Gnom × 1+ t RG2 × 1+ t SiCr

RInnom 和 RGnom 是每个电阻的标称值。参数 tabs 是误差项,用于描述相关 RES11A 器件的绝对容差,使得 |tabs| ≤ 12%。绝对容差主要取决于 SiCr 电阻率 (tSiCr) 的变化。给定 RES11A 的四个电阻呈叉指状,并且来自相同的晶圆区域;因此,tSiCr 对于四个电阻中的每一个来说实际上相同,但 tSiCr 因器件而异。以下示例显示,当从比例角度考虑每个分压器时,这些误差项会消失。参数 tRx 是误差项,用于描述给定 RES11A 器件每个电阻的剩余有效容差(在考虑通用 tSiCr 之后)。

方程式 5. R Gx R INx = R Gnom × 1+ t RGx × 1+ t SiCr R INnom × 1+ t RINx × 1+ t SiCr = R Gnom × 1+ t RGx R INnom × 1+ t RINx = G nom × 1+ t RGx 1+ t RINx = G x
方程式 6. R INx R INx + R Gx = R INnom × 1+ t RINx × 1+ t SiCr R INnom × 1+ t RINx × 1+ t SiCr + R Gnom × 1+ t RGx × 1+ t SiCr = R INnom × 1+ t RINx R INnom × 1+ t RINx + R Gnom × 1+ t RGx

RES11A 的规定最大分压器分压比容差为 0.05%,这意味着实际分压器比率 Gx 和标称比率 Gnom(给定分压器 x)之间的关系描述如下:

方程式 7. G x = G nom × 1+ t Dx

使得 tDx0.05%。由于在最终测试阶段时会筛除所有不符合这些标准的器件,因此这些公式可以与方程式 5 一起用来证明 tRx 的有效界限。因此,尽管器件的绝对端到端容差界限为 ±12%,但每个电阻的有效误差容差(对于比率应用)大约在 ±0.025% 范围内(最坏情况 tRx)。

RES11A 的规定最大分压器匹配容差为 0.1%,这意味着分压器 1 的比率 (G1) 和分压器 2 的比率 (G2) 描述如下:

方程式 8. t M = t D2 - t D1 = G 2 - G 1 G nom

根据定义,|tM| ≤ 0.1%。同样,前面的公式将 tM 与参数 tDXtRX 相关联。由于两个分压器呈叉指状,因此 tM 的实际典型幅度明显低于此最大值,具体取决于特定的 RES11A 器件。在实现差分放大器电路时,此值用于计算共模抑制比 (CMRR)。例如,典型的 tMRES11A40 的典型值)大约为 85ppm,而典型 CMRR 为 95.4dB