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ZHCSTZ3A December 2023 – October 2025 RES11A

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

DDF|8

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

7.3.1.1 绝对容差和比率式容差

RES11A 的电阻通过以下公式来描述：

方程式 10.

R_{IN1} = R_{INnom} \times (1+ t_{absRIN1}) = R_{INnom} \times (1+ t_{RIN1}) \times (1+ t_{SiCr})

方程式 11.

R_{IN2} = R_{INnom} \times (1+ t_{absRIN2}) = R_{INnom} \times (1+ t_{RIN2}) \times (1+ t_{SiCr})

方程式 12.

R_{G1} = R_{Gnom} \times (1+ t_{absRG1}) = R_{Gnom} \times (1+ t_{RG1}) \times (1+ t_{SiCr})

方程式 13.

R_{G2} = R_{Gnom} \times (1+ t_{absRG2}) = R_{Gnom} \times (1+ t_{RG2}) \times (1+ t_{SiCr})

R_Innom 和 R_Gnom 是每个电阻的标称值。参数 t_abs 是误差项，用于描述相关 RES11A 电阻器的绝对容差，使得 |t_abs| ≤ 12%。例如，t_abs = 10% 的标称 1kΩ 电阻实际上测量为 1.1kΩ。此误差类似于大多数单元件电阻器的指定绝对容差，或更专业的电阻分压器的端到端容差。

注： RES11A 不是激光修整器件。RES11A 的每个比率都有一个专门针对该比率进行优化的独特芯片，可提供实现极低温漂所需的精确匹配和一致热特性。

绝对容差主要取决于 SiCr 电阻率 (t_SiCr) 的变化。给定 RES11A 的四个电阻呈叉指状，并且来自相同的晶圆区域；因此，t_SiCr 对于四个电阻中的每一个来说实际上相同，但 t_SiCr 因器件而异。

以下示例显示，当从比例角度考虑每个分压器时，t_SiCr 误差项会消失。参数 t_Rx 是残留误差项，用于描述给定 RES11A 器件每个电阻的剩余有效容差（在考虑通用 t_SiCr 之后）。

方程式 14.

\frac{R_{Gx}}{R_{INx}} = \frac{R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx}) \times (1+ t_{SiCr})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) \times (1+ t_{SiCr})} = \frac{R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx})} = G_{nom} \times \frac{(1+ t_{RGx})}{(1+ t_{RINx})} = G_{x}

方程式 15.

\frac{R_{INx}}{R_{INx} + R_{Gx}} = \frac{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) \times (1+ t_{SiCr})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) \times (1+ t_{SiCr}) + R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx}) \times (1+ t_{SiCr})} = \frac{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx})}{R_{INnom} \times (1+ t_{RINx}) + R_{Gnom} \times (1+ t_{RGx})}

t_RG1、t_RG2、t_RIN1 和 t_RIN2 的独立值描述了每个电阻的容差，但不是高斯意义上的独立变量。相反，这些值之间的匹配（根据设计）用于在电阻器之间实现高度稳定的比率关系，从而提供极低误差的有效比率。

RES11A 的 t_Dx 限制通过在生产过程中进行的精确参数测试来强制实施，并使用 Kelvin 连接更好地抑制潜在的误差源。由于生成的 t_D1 和 t_D2 值是更多的随机误差项，因此 t_D1 和 t_D2 可以被视为独立的高斯分布，这使得这些变量对于误差分析更有用。单元元件电阻器没有与 t_Dx 等效的，因为除了渐变限值之外，不考虑任何器件间匹配。在其他分频器数据表中，t_Dx 的等效值通常称为比率容差。

由于在最终测试阶段时会筛除所有不符合这些标准的器件，因此从技术上讲，这些公式可以结合方程式 14 用于证明给定器件的 t_Rx 值之间的其他关系（如有效最大限值）。但是，这一做法最终会得出过于保守的结果。为了使用平方根总和方法进行更真实的统计分析，电气特性 表的任意匹配 部分提供了一些额外电阻器与电阻器关系的测量标准偏差。有关实践示例，请参阅节 8.1.3.2。