ZHCSTZ3A December 2023 – October 2025 RES11A
PRODUCTION DATA
RES11A 的电压系数很大程度与自发热有关,此时器件中的耗散功率会导致芯片温度升高。如前所述,这种温升的共性会导致每个电阻中发生相似的转换,使得分压器比率得以很好地保持。
通过在电阻器 R 两端施加电压 V,会造成相应的功率耗散 P = V2/R,表现为器件芯片中的热量。这些热量会导致结温局部增加,进而造成前面在温度系数背景下讨论过的相同参数转换。TCR 指定为环境温度的函数;因此,应使用有效的结至环境热阻来确定有效温升,并计算标称或预期转换。
如果同时偏置两个分压器,则必须在使用结至环境热阻计算相关的结温升之前,将两个 分压器的功率耗散相加。
下图显示了在各种电压下所测试的一个 RES11A40 器件的数据集。
R 预期值与 R 实际值之间的差异描述了 R 的实际值与预期值不匹配错误,这源自对电压系数产生的非温度相关影响。与对数放大器的对数一致性误差或 ADC 的积分非线性误差类似,该误差描述了实际器件行为与可预测行为之间的偏差。虽然转换的绝对幅度有所不同,但斜率或趋势可以预测。请注意,测量噪声和泄漏很容易增加测量误差;请遵循最佳实践,例如组装后清洁和烘烤电路板,以更大限度地减少外部误差并提高可重复性。
R 测量值的变化除以偏置电压 VR 的变化,即可计算电阻的有效电压系数。例如,RIN1 的电压系数为 ΔRIN1 除以 ΔVRIN1。
对每个 Rx、tD1、tD2 和 tM 重复此操作,计算与每个参数相关的电压系数。例如,RES11A 的典型绝对电压系数约为 ±0.24Ω/V(RIN 和 RG 的电压系数)。当从比例角度考虑时,tD1 或 tD2 的典型电压系数为 ±0.4ppm/V,tM 的电压系数为 ±0.24ppm/V。