ZHCSUQ3A April   2017  – September 2025 REF31-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电源电压
      2. 7.3.2 热迟滞
      3. 7.3.3 温漂
      4. 7.3.4 噪声性能
      5. 7.3.5 长期稳定性
      6. 7.3.6 负载调整率
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 负基准电压
      2. 7.4.2 数据采集
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1 概述

REF31xx-Q1 系列是串联、CMOS、精度带隙电压基准。基本带隙拓扑如 功能方框图 所示。晶体管 Q1 和 Q2 被偏置，使 Q1 的电流密度大于 Q2 的电流密度。两个基极发射极电压之差 (Vbe1 - Vbe2) 具有正温度系数，并被迫通过电阻 R1。此电压被放大并被添加到具有负温度系数的 Q2 的基极发射极电压。由此产生的输出电压实际上与温度无关。带隙电压的弯曲（如图 6-3 所示）是 Q2 基极发射极电压的轻微非线性温度系数所致。