ZHCSYO5A July   2025  – September 2025 MSPM0C1105 , MSPM0C1106

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
    1. 6.1 引脚图
    2. 6.2 引脚属性
      1.      10
    3. 6.3 信号说明
      1.      12
      2.      13
      3.      14
      4.      15
      5.      16
      6.      17
      7.      18
      8.      19
      9.      20
      10.      21
      11.      22
      12.      23
    4. 6.4 未使用引脚的连接
  8. 7 规格
    1. 7.1  绝对最大额定值
    2. 7.2  ESD 等级
    3. 7.3  建议运行条件
    4. 7.4  热性能信息
    5. 7.5  电源电流特性
      1. 7.5.1 运行/睡眠模式
      2. 7.5.2 停止/待机模式
      3. 7.5.3 关断模式
    6. 7.6  电源时序
      1. 7.6.1 电源斜坡
      2. 7.6.2 POR 和 BOR
    7. 7.7  闪存特性
    8. 7.8  时序特性
    9. 7.9  时钟规格
      1. 7.9.1 系统振荡器 (SYSOSC)
      2. 7.9.2 低频振荡器 (LFOSC)
      3. 7.9.3 低频晶体/时钟
      4. 7.9.4 高频晶体/时钟
    10. 7.10 数字 IO
      1. 7.10.1 电气特性
      2. 7.10.2 开关特性
    11. 7.11 模拟多路复用器 VBOOST
    12. 7.12 ADC
      1. 7.12.1 电气特性
      2. 7.12.2 开关特性
      3. 7.12.3 线性参数
      4. 7.12.4 典型连接图
    13. 7.13 温度传感器
    14. 7.14 VREF
      1. 7.14.1 电气特性
      2. 7.14.2 电压特性
    15. 7.15 比较器 (COMP)
      1. 7.15.1 比较器电气特性
    16. 7.16 I2C
      1. 7.16.1 I2C 特性
      2. 7.16.2 I2C 滤波器
      3. 7.16.3 I2C 时序图
    17. 7.17 SPI
      1. 7.17.1 SPI
      2. 7.17.2 SPI 时序图
    18. 7.18 UART
    19. 7.19 TIMx
    20. 7.20 仿真和调试
      1. 7.20.1 SWD 时序
  9. 8 详细说明
    1. 8.1  概述
    2. 8.2  CPU
    3. 8.3  工作模式
      1. 8.3.1 不同工作模式下的功能
    4. 8.4  电源管理单元 (PMU)
    5. 8.5  时钟模块 (CKM)
    6. 8.6  DMA_B
    7. 8.7  事件
    8. 8.8  存储器
      1. 8.8.1 内存组织
      2. 8.8.2 外设文件映射
      3. 8.8.3 外设中断向量
    9. 8.9  闪存存储器
    10. 8.10 SRAM
    11. 8.11 GPIO
    12. 8.12 IOMUX
    13. 8.13 ADC
    14. 8.14 温度传感器
    15. 8.15 低频子系统 (LFSS)
    16. 8.16 VREF
    17. 8.17 COMP
    18. 8.18 安全性
    19. 8.19 CRC
    20. 8.20 UART
    21. 8.21 I2C
    22. 8.22 SPI
    23. 8.23 IWDT
    24. 8.24 WWDT
    25. 8.25 RTC_B
    26. 8.26 计时器 (TIMx)
    27. 8.27 器件模拟连接
    28. 8.28 输入/输出图
    29. 8.29 串行线调试接口
    30. 8.30 DEBUGSS
    31. 8.31 器件出厂常量
    32. 8.32 标识
  10. 9 应用、实施和布局
    1. 9.1 典型应用
      1. 9.1.1 原理图
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 入门和后续步骤
    2. 10.2 器件命名规则
    3. 10.3 工具与软件
    4. 10.4 文档支持
    5. 10.5 支持资源
    6. 10.6 商标
    7. 10.7 静电放电警告
    8. 10.8 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGE|24
  • RGZ|48
  • RHB|32
  • RUK|20
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.12.1 电气特性

在推荐的电源电压和自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明），所有典型值均在温度为 25°C 时测得，并且所有精度参数均使用 12 位分辨率模式测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
Vin(ADC) 模拟输入电压范围(1) 适用于所有 ADC 模拟输入引脚 0 VDD V
VR+ ADC 正基准电压 来自 VDD 的 VR+ VDD V
来自外部基准引脚的 VR+ (VREF+) 1.4 VDD V
来自内部基准的 VR+ (VREF) VREF V
VR- ADC 负基准电压 0 V
FS ADC 采样频率 RES = 0x0（12 位模式），外部基准 1.6 Msps
FS ADC 采样频率 RES = 0x1（10 位模式），外部基准 1.7 Msps
FS ADC 采样频率 RES = 0x2（8 位模式），外部基准 1.9 Msps
I(ADC) 流入 VDD 端子的
工作电源电流		 FS = 1.6MSPS，外部基准，VR+ = VDD 350 μA
FS = 500ksps，内部基准，VR+ = VREF = 2.5V 300
CS/H ADC 采样保持电容 0.22 pF
Rin ADC 采样开关电阻 15 kΩ
ENOB 有效位数 内部基准，VR+ = VREF = 2.5V，Fin = 10KHz 9.4 10.2 位
外部基准，Fin = 10KHz (2) 10 10.6
ENOB 有效位数 外部基准，硬件均值计算已启用（16 个样本），Fin = 10KHz(2) 11.8 位
SNR 信噪比 外部基准(2) 67 dB
内部基准，VR+ = VREF = 2.5V 64
SNR 信噪比 外部基准(2)，硬件均值计算已启用（16 个样本） 75 dB
PSRRDC 电源抑制比（直流） 外部基准电压(2)，VDD = VDD(min) 至 VDD(max) 68 dB
VDD = VDD(min) 至 VDD(max)
内部基准，VR+ = VREF = 2.5V		 61
PSRRAC 电源抑制比（交流） 外部基准(2)，1kHz 时 ΔVDD = 0.1V 61 dB
1kHz 时 ΔVDD = 0.1V
内部基准，VR+ = VREF = 2.5V		 49
Twakeup ADC 唤醒时间 假设内部基准处于运行状态 5 us
VSupplyMon 电源监测器分压器 (VDD/3) 精度 ADC 输入通道：电源监测器(3) -1.5 +1.5 %
ISupplyMon 电源监测器分压器电流消耗 ADC 输入通道：电源监测器 10 uA
(1) 模拟输入电压范围必须位于所选的 ADC 基准电压范围 VR+ 至 VR- 内，才能获得有效的转换结果。
(2) 所有外部基准规格都是在 VR+ = VREF+ = VDD = 3.3V、VR- = VREF- = VSS = 0V 且 VREF+ 引脚上有外部 1μF 电容的条件下测得
(3) 模拟电源监测器。通道 15 上的模拟输入断开连接，并在内部连接到分压器 VDD/3。