ZHCSYO5 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSYO5A July 2025 – September 2025 MSPM0C1105 , MSPM0C1106

PRODUCTION DATA

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)

RGE|24
RGZ|48
RHB|32
RUK|20

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

7.10.1 电气特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

参数		测试条件		最小值	典型值	最大值	单位
V_IH	高电平输入电压	ODIO ⁽¹⁾	VDD ≥ 1.62V	0.7*VDD		5.5	V
		ODIO ⁽¹⁾	VDD ≥ 2.7V	2		5.5	V
		除 ODIO 和复位以外的所有 I/O	VDD ≥ 1.62V	0.7*VDD		VDD+0.3	V
V_IL	低电平输入电压	ODIO	VDD ≥ 1.62V	-0.3		0.3*VDD	V
		ODIO	VDD ≥ 2.7V	-0.3		0.8	V
		除 ODIO 和复位以外的所有 I/O	VDD ≥ 1.62V	-0.3		0.3*VDD	V
V_HYS	迟滞	ODIO		0.05*VDD			V
V_HYS	迟滞	除 ODIO 以外的所有 I/O		0.1*VDD			V
I_lkg	高阻态漏电流	SDIO⁽²⁾⁽³⁾				50⁽⁴⁾	nA
R_PU	上拉电阻	除 ODIO 以外的所有 I/O			40		kΩ
R_PD	下拉电阻				40		kΩ
C_I	输入电容				5		pF
V_OL	低电平输出电压	SDIO	VDD≥2.7V，\|I_IO\|_,max=6mA VDD≥1.71V，\|I_IO\|_,max=2mA			0.4	V
V_OL	低电平输出电压	ODIO	VDD ≥ 2.7V，I_OL,max = 8mA VDD ≥ 1.71V，I_OL,max = 4mA			0.5	V
V_OH	高电平输出电压	SDIO	VDD ≥ 2.7V，I_OH,max= 6mA	VDD-0.5			V
V_OH	高电平输出电压	SDIO	VDD ≥ 1.71V，I_OH,max= 2mA	VDD-0.4			V

(1) I/O 类型：ODIO = 5V 容限开漏，SDIO = 标准驱动

(2) 除非另有说明，否则漏电流是在将 VSS 或 VDD 施加到相应引脚的情况下测量的。

(3) 数字端口引脚的漏电流单独测量。为输入选择端口引脚，而且上拉/下拉电阻器被禁用。

(4) 此值适用于 SDIO 不与任何模拟输入进行多路复用的情况。如果 SDIO 与模拟输入进行多路复用，则漏电流可高达 100nA。