ZHCSQU4B May   2023  – November 2023 LP5860T

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7.     14
    8. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 时分多路复用矩阵
      2. 7.3.2 模拟调光（电流增益控制）
        1. 7.3.2.1 全局 3 位最大电流 (MC) 设置
        2. 7.3.2.2 3 组 7 位颜色电流 (CC) 设置
        3. 7.3.2.3 单独 8 位点电流 (DC) 设置
      3. 7.3.3 PWM 调光
        1. 7.3.3.1 用于每个 LED 点的单独 8 位/16 位 PWM
        2. 7.3.3.2 可编程分组 8 位 PWM 调光
        3. 7.3.3.3 用于全局调光的 8 位 PWM
      4. 7.3.4 导通和关断控制
      5. 7.3.5 数据刷新模式
      6. 7.3.6 完整的可寻址 SRAM
      7. 7.3.7 保护和诊断
        1. 7.3.7.1 LED 开路检测
        2. 7.3.7.2 LED 短路检测
        3. 7.3.7.3 热关断
        4. 7.3.7.4 UVLO（欠压锁定）
    4. 7.4 器件功能模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 接口选择
      2. 7.5.2 I2C 接口
        1. 7.5.2.1 I2C 数据事务
        2. 7.5.2.2 I2C 数据格式
        3. 7.5.2.3 多器件连接
      3. 7.5.3 编程
        1. 7.5.3.1 SPI 数据事务
        2. 7.5.3.2 SPI 数据格式
        3. 7.5.3.3 多器件连接
    6. 7.6 寄存器映射
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 应用
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
        1. 8.2.3.1 编程过程
      4. 8.2.4 应用性能曲线图
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 VDD 输入电源建议
      2. 8.3.2 VLED 输入电源建议
      3. 8.3.3 VIO 输入电源建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2.3 详细设计过程

为确保内部 LDO 正常运行，LP5860T 需要在 VCAP 和 GND 之间连接一个容值为 1μF 的外部电容器 CVCAP。该电容器应尽可能靠近器件放置。

TI 建议在 VCC/VLED 与 GND 之间放置一个 1μF 电容器，在 VIO 与 GND 之间放置一个 1nF 电容器。将这些电容器放置在尽可能靠近器件的位置。

当使用 I2C 通信方法时，SCL 和 SDA 需要上拉电阻 Rpull-up。在典型应用中，TI 建议使用 1.8kΩ 至 4.7kΩ 的电阻。

为了降低器件到环境的热耗散，可以选择将电阻 RCS 与 LED 串联放置。这些电阻上的压降必须为 VSAT 留出足够的裕度，以确保器件正常工作。