建议使用良好的布局实践。为了使器件具有出色的运行性能，请使用良好的印刷电路板 (PCB) 布局实践，包括：
- 确保次级运算放大器的两个输入路径在源阻抗和电容方面对称且匹配良好，以避免将共模信号转换为差模信号和热电动势 (EMF)。
- 噪声可通过器件的电源引脚和整个电路的电源引脚传播到模拟电路中。旁路电容器通过提供模拟电路的本地低阻抗电源来减少耦合噪声。在每个电源引脚和接地端之间连接低 ESR 0.1µF X7R 陶瓷旁路电容器，放置位置尽量靠近器件。针对单电源应用，V+ 与接地端之间可以接入单个旁路电容器。
- 为 VCM 去耦电容选择 C0G (NP0) 陶瓷电容器，并尽可能靠近 VCM 引脚放置。
- 将 C0G (NP0) 陶瓷旁路电容器连接到 REF165 和 REF25 各基准引脚，并尽可能靠近这些引脚。使用基准时，每个引脚的总电容为 100pF 至 330pF，如果不使用基准，则为 33pF 的电容值。驱动更大的容性负载时，应使用缓冲器电路，例如用 50Ω 隔离电阻驱动接至 REFGND 的 100nF 去耦电容。100Ω 电阻和 100µF 电容组成的缓冲电路可改善噪声滤除。
- 对于光电检测应用，将光电二极管尽可能靠近 I1 引脚放置，以最大限度地减小寄生电感。
- 对输入或输出信号链中的任何电容（C3、C4、C5，以及 CBIAS [如使用]），应使用陶瓷 C0G (NP0) 电介质电容器。
- 在电流输入布线周围铺设铜防护布线，从源极一直延伸到 LOG200 输入引脚。移除防护区域上的所有阻焊层和丝印，以减少表面电荷累积并防止表面漏电路径。使用 VCM 作为保护电势。
- 对于超低电流测量，必须以三维方案实现防护，以防止源自其他层的漏电流流入信号路径。在表面电平信号和防护布线正下方的下一层上放置额外的防护覆铜，以防止垂直方向的漏电路径。在敏感输入布线周围布置过孔栅栏，以连接不同层上的防护铜，从而形成完整的三维防护结构。
- 为了减少寄生耦合，请让输入布线尽可能远离电源或输出布线。如果上述布线无法分离，则让敏感性布线与有噪声布线垂直交叉要远优于选择平行的布线方式。
- 尽可能减少热结的数量。信号路径最好在单层内布线，不使用过孔，并尽可能缩短布线。
- 与主要热源（高功耗电路）保持足够的距离。如果不可能，请调整器件位置，使热源对差分信号路径高侧和低侧的影响能够均匀匹配。
- 将散热焊盘焊接到 PCB 上。为了使 LOG200 能够正常散热并最大程度地减少漏电，即使在低功耗应用中，也要将散热焊盘连接到电气上与 VCM 连接的平面或大面积覆铜上。