ZHCSWO1C May   2004  – December 2025 LOG114

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性 (±5V)
    6. 5.6 电气特性 (5V)
    7. 5.7 典型特性：VS = ±5V
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 对数和差分放大器
      2. 6.3.2 COM 电压范围
      3. 6.3.3 VCM IN
      4. 6.3.4 辅助运算放大器
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 传递函数
      2. 7.1.2 输入电流范围
      3. 7.1.3 设置参考电流
      4. 7.1.4 负输入电流
      5. 7.1.5 电压输入
      6. 7.1.6 高电流线性度校正
      7. 7.1.7 误差源
        1. 7.1.7.1 精度
        2. 7.1.7.2 总误差
        3. 7.1.7.3 误差 RTO 和 RTI
        4. 7.1.7.4 对数一致性
        5. 7.1.7.5 单个误差分量
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 双电源配置的设计示例
      2. 7.2.2 单电源配置的设计示例
      3. 7.2.3 双电源工作的优点
      4. 7.2.4 对数比
      5. 7.2.5 数据压缩
      6. 7.2.6 由 3.3V 电压供电运行
      7. 7.2.7 掺铒光纤放大器 (EDFA)
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
      2. 8.2.2 PSpice® for TI
      3. 8.2.3 TINA-TI™（免费软件下载）
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (March 2025)to RevisionC (December 2025)

  • 在规格中添加了器件流程信息的说明Go
  • 向电气特性中的典型测试条件添加了所有芯片原产地 (CSO) 条件Go
  • 向电气特性中的增益带宽添加了不同的制造过程规格Go
  • 向电气特性中的转换率添加了不同的制造过程规格Go
  • 向电气特性中的短路电流添加了不同的制造过程规格Go
  • 向电气特性中的 8nA 至 240nA（下降）电流阶跃响应时间添加了不同的制造过程规格Go
  • 在电气特性中将 8nA 至 240nA（下降）的阶跃响应时间从 6µs 更改为 7.6µsGo
  • 向电气特性中的 10nA 至 100nA（下降）电流阶跃响应时间添加了不同的制造过程规格Go
  • 向电气特性中的 10nA 至 1µA（下降）电流阶跃响应时间添加了不同的制造过程规格Go
  • 向电气特性中的静态电流添加了不同的制造过程规格Go
  • 向电气特性中的典型测试条件添加了所有芯片原产地 (CSO) 条件Go
  • 向电气特性中的增益带宽添加了不同的制造过程规格Go
  • 向电气特性中的转换率添加了不同的制造过程规格Go
  • 向电气特性中的短路电流添加了不同的制造过程规格Go
  • 向电气特性中的 8nA 至 240nA（下降）电流阶跃响应时间添加了不同的制造过程规格Go
  • 在电气特性中将 8nA 至 240nA（下降）的阶跃响应时间从 6µs 更改为 7.6µsGo
  • 向电气特性中的 10nA 至 100nA（下降）电流阶跃响应时间添加了不同的制造过程规格Go
  • 向电气特性中的 10nA 至 1µA（下降）电流阶跃响应时间添加了不同的制造过程规格Go
  • 向电气特性中的静态电流添加了不同的制造过程规格Go
  • 向典型特性中的典型测试条件添加了所有芯片原产地 (CSO) 条件Go
  • 在典型特性中添加了 CSO：SHE 流的 A4 和 A5 增益和相位与频率间的关系、A4 和 A5 非反相闭环响应、A4 和 A5 反相闭环响应、A4 和 A5 容性负载响应曲线Go
  • 向典型特性中的 A4 和 A5 增益和相位与频率间的关系、A4 和 A5 非反相闭环响应、A4 和 A5 反相闭环响应、A4 和 A5 容性负载响应添加了 CSO：TID 信息Go
  • 向器件命名规则添加了器件型号流程信息表Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (March 2007)to RevisionB (March 2025)

  • 添加了“引脚配置”、“规格”、“ESD 等级”、“建议的工作条件”、“热性能信息”、“详细说明”、“典型应用”、“布局”、“布局指南”、“器件和文档支持”以及“机械、封装和可订购信息”这些章节Go
  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
  • 添加了引脚功能表Go
  • 添加了 CDM ESD 等级Go
  • 将 ESD 额度值从绝对最大额定值等级 移至 ESD 等级 Go
  • 将指定温度和电源参数从电气特性 移至建议运行条件 Go
  • 删除了电气特性中的热阻 θJA 参数，并将其替换为热性能信息中的详细热模型参数Go
  • 更新了电气特性表的格式Go
  • 更改了电气特性中的对数一致性误差，在 1nA 至 100µA（5 个数量级）范围内，最大规格由 0.2% 调整为 0.3%（0.017dB 至 0.026dB）Go
  • 更改了电气特性中的对数一致性误差，在 100pA 至 3.5mA（7.5 个数量级）范围内，典型规格由 0.9% 调整为 2.2%（0.08dB 至 0.19dB）Go
  • 更改了电气特性中的对数一致性误差，在 100pA 至 3.5mA（7.5 个数量级）（-5°C 至 75°C）范围内，典型规格由 0.5% 调整为 2.3%Go
  • 在电气特性中为电流噪声 in 添加了测试条件Go
  • 在电气特性中将 BW（10µA 至 1mA（比率 1:100）、1mA 至 3.5mA（比率 1:3.5）和 3.5mA 至 10mA（比率 1:2.9））整合为 10µA 至 10mA (1:1k)Go
  • 删除了电气特性中的 10nA 至 10µA（比率 1:1k）和 10nA 至 1mA（比率 1:100k）的阶跃响应规格Go
  • 在电气特性中将 8nA 至 240nA（上升）的阶跃响应时间从 0.7µs 更改为 0.8µsGo
  • 在电气特性中将 8nA 至 240nA（下降）的阶跃响应时间从 1µs 更改为 6µsGo
  • 在电气特性中将 10nA 至 1µA（上升）的阶跃响应时间从 0.15µs 更改为 0.25µsGo
  • 在电气特性中将 10nA 至 1µA（下降）的阶跃响应时间从 0.25µs 更改为 4µsGo
  • 更改了电气特性中的对数一致性误差，在 1nA 至 100µA（5 个数量级）范围内，最大规格由 0.25% 调整为 0.3%（0.022dB 至 0.026dB）Go
  • 更改了电气特性中的对数一致性误差，在 100pA 至 3.5mA（7.5 个数量级）范围内，典型规格由 0.9% 调整为 2.2%（0.08dB 至 0.19dB）Go
  • 更改了电气特性中的对数一致性误差，在 100pA 至 3.5mA（7.5 个数量级）（-5°C 至 75°C）范围内，典型规格由 0.5% 调整为 2.3%Go
  • 将电气特性中的比例因子误差从 0.0.35dB 更改为 0.035dB  Go
  • 将电气特性中的比例因子误差从 0.035% 更改为 1.5%Go
  • 在电气特性中为电流噪声 in 添加了测试条件  Go
  • 在电气特性中将 BW（10µA 至 1mA（比率 1:100）、1mA 至 3.5mA（比率 1:3.5）和 3.5mA 至 10mA（比率 1:2.9））整合为 10µA 至 10mA (1:1k)Go
  • 删除了电气特性中的 10nA 至 10µA（比率 1:1k）和 10nA 至 1mA（比率 1:100k）的阶跃响应规格Go
  • 在电气特性中将 8nA 至 240nA（上升）的阶跃响应时间从 0.7µs 更改为 0.8µsGo
  • 在电气特性中将 8nA 至 240nA（下降）的阶跃响应时间从 1µs 更改为 6µsGo
  • 在电气特性中将 10nA 至 100nA（下降）的阶跃响应时间从 2µs 更改为 5µsGo
  • 在电气特性中将 10nA 至 1µA（上升）的阶跃响应时间从 0.15µs 更改为 0.25µsGo
  • 在电气特性中将 10nA 至 1µA（下降）的阶跃响应时间从 0.25µs 更改为 4µsGo
  • 更改了典型图：A4 和 A5 增益和相位与频率间的关系，A4 和 A5 非反相闭环响应，A4 和 A5 反相闭环响应，A4 和 A5 容性负载响应 Go
  • 删除了典型特性图：对数一致性随温度变化，4 个数量级 IREF 下的对数一致性，5 个数量级 IREF 下的对数一致性，6 个数量级 IREF 下的对数一致性，8 个数量级 IREF 下的对数一致性 Go
  • 添加了“辅助运算放大器”章节Go
  • 删除了设置 IREF 的示例 图中建议的晶体管Go
  • 更改了“负输入电流”章节中建议的运算放大器、晶体管和二极管Go
  • 添加了“高电流线性度校正”章节Go
  • 更改了“双电源配置的设计示例”章节中的公式Go
  • 更改了用于对转至 ADC 级的输出进行缩放和偏移的运算放大器配置图Go