ZHCSV85 March 2024 LMG3425R050
PRODUCTION DATA
通过将一个电阻器 RRDRV 从 RDRV 引脚连接至接地，能够在大约 20 V/ns 与 150V/ns 之间调节 LMG3425R050 的压摆率。如果采用了较大的 RRDRV 电阻器，RDRV 引脚就是一个高阻抗节点。因此，如果屏蔽效果不好，就很容易受到漏极或其他快速波动高压节点的耦合影响 。这会表现为不稳定的开关 dv/dt，极端情况下，还会因 RDRV 被检测为开路导致出现瞬态故障。布局时，进行引脚屏蔽应当属于首要任务，但如果这种耦合影响仍然存在问题，则可以在 RDRV 与 GND 之间增加一个用以稳定引脚电压的，电容值不超过 1nF 的电容器。
压摆率从以下方面影响 GaN 器件的性能：
通常，高压摆率可实现低开关损耗，但高压摆率也会产生较高的电压过冲、噪声耦合和 EMI 发射。遵循此数据表中的设计建议有助于缓解由高压摆率引发的挑战。LMG3425R050 让电路设计人员能够灵活地选择合适的压摆率，从而使其应用实现卓越的性能。