ZHCSUG9 January 2024 LMG3100R017
ADVANCE INFORMATION
LMG3100 器件是一款具有集成驱动器的 90V、97A 氮化镓 (GaN)。该器件包含一个由高频 GaN FET 驱动器驱动的 100V GaN FET。LMG3100 包含一个高侧电平转换器和自举电路,因此可以使用两个 LMG3100 器件形成半桥,而无需额外的电平转换器。
GaN FET 在功率转换方面优势极为显著,因为它们的反向恢复接近零,而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都极小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上,尽可能减少了封装寄生元件数。LMG3100 器件采用 6.5mm × 4mm × 0.89mm 无铅封装,可轻松安装在 PCB 上。
无论 VCC 电压如何,TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。
该器件配有用户友好型接口且更为出色,进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说,该器件是理想的解决方案。