ZHCSUG9C January 2024 – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
高侧偏置电压是使用自举技术生成的,并在内部钳位为 5V(典型值)。该钳位可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。