ZHCSI75C April   2008  – August 2026 LM7332

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 热性能信息
    4. 5.4 建议运行条件
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
    7. 5.7 旧裸片与新裸片的比较
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 器件功能模式
      1. 6.3.1 驱动容性负载
    4. 6.4 电过应力
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
      3. 7.4.3 输出短路电流与消耗问题
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 支持资源
    2. 8.2 商标
    3. 8.3 静电放电警告
    4. 8.4 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (December 2015)to RevisionC (August 2026)

  • 更新了最小的宽电源电压范围，从 2.5V 更新至 2.7VGo
  • 删除了高输出电流特性Go
  • 将 GBWP 从 21MHz 更新为了 24MHzGo
  • 将转换率从 15.2V/μs 更新为了 35V/μsGo
  • 将总电源电流从 2mA 更新为 2.7mAGo
  • 将供电电压 (VS = V+ – V−) 从 35V 更新为 33VGo
  • 将输入/输出引脚的最小电压从 V+ + 0.3V 更新为 V− − 0.5V，并将最大电压从 V− − 0.3V 更新为 V+ + 0.5VGo
  • 添加了充电器件模型额定值Go
  • 将 DGK (VSSOP) 封装的结至环境热阻从 161.1°C/W 更新为 169.6°C/WGo
  • 将 D (SOIC) 封装的结至环境热阻从 109.1°C/W 更新为 124.0°C/WGo
  • 将 DGK (VSSOP) 封装的结至外壳（顶）热阻从 55°C/W 更新为 61.6°C/WGo
  • 将 D (SOIC) 封装的结至外壳（顶）热阻从 55.8°C/W 更新为 67.3°C/WGo
  • 将 DGK (VSSOP) 封装的结至板热阻从 80.5°C/W 更新为 91.2°C/WGo
  • 将 D (SOIC) 封装的结至板热阻从 49.2°C/W 更新为 68.4°C/WGo
  • 将 DGK (VSSOP) 封装的结至顶部表征参数从 5.5°C/W 更新为 9.0°C/WGo
  • 将 D (SOIC) 封装的结至顶部表征参数从 10.7°C/W 更新为 19.9°C/WGo
  • 将 DGK (VSSOP) 封装的结至板表征参数从 79.2°C/W 更新为 89.7°C/WGo
  • 将 D (SOIC) 封装的结至板表征参数从 48.7°C/W 更新为 67.6°C/WGo
  • 更新了最小的宽电源电压范围，从 2.5V 更新至 2.7VGo
  • 已将输入偏移电压典型值从 ±1.6mV 更新为 ±0.35Go
  • 将输入偏移电压漂移典型值从 ±2µV/°C 更新为 ±2.5µV/°CGo
  • 将输入偏置电流典型值从 ±1µA 更新为 0.4µAGo
  • 将输入偏移电流典型值从 20nA 更新为 7nAGo
  • 将输入共模电压范围最小值从 5.1V 更新为 (V−) − 0.1Go
  • 将输入共模电压范围最小值从 −5.1V 更新为 (V+) + 0.1Go
  • 删除输入共模电压范围典型值Go
  • 将所有输出摆幅高和输出摆幅低典型值更新为 50mV（来自任一电源轨）Go
  • 根据新裸片特性更新了 CMRR 规范Go
  • 更新了总电源电流典型值，从 1.5mA 更新到 2.7mA，TA= 25°C 的最大值从 2.4mA 更新到 3.86mA，TA = –40°C 至 +125°C 时，从 2.6mA 更新到 4.46mAGo
  • 将压摆率典型值从 13.2V/μs 更新到 35V/μsGo
  • 已将闭环输出电阻从 3Ω 更新为 1ΩGo
  • 将单位增益频率从 7.9MHz 更新为 11MHzGo
  • 将增益带宽积从 19.9MHz 更新为 24MHzGo
  • 将总计谐波失真 + 噪声从 −87dB 更新为 −113dBGo
  • 将串扰抑制从 68dB 更新为 120dBGo
  • 根据新裸片特性更新了曲线图Go
  • 添加了新旧裸片比较 一节Go
  • 删除了接近 V 的输出电压摆幅 部分Go
  • 添加了电过应力 部分Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (March 2013)to RevisionB (December 2015)

  • 添加了器件信息、ESD 等级和Thermal 热性能信息 表、特性说明部分、器件功能模式、应用和实施部分、电源相关建议部分、布局部分、器件和文档支持部分以及机械、封装和可订购信息部分。Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (March 2013)to RevisionA (March 2013)