ZHCSI75C April 2008 – August 2026 LM7332
PRODUCTION DATA
LM7332 输出级旨在提供最大输出电流能力。尽管在所有工作电压下都能容忍输出对地或对任一电源的瞬时短路，但持续时间较长的短路情况可能导致结温升至超过器件的绝对最大额定值，尤其是在较高电源电压条件下。
当运算放大器连接负载时，器件的功率耗散包括由流入器件的电源电流引起的静态功耗，以及由负载电流引起的功率耗散。负载部分的功耗本身可包括一个平均值（由直流负载电流引起）和一个交流分量。如果存在输出电压偏移，或者输出交流平均电流非零，或者运算放大器工作在单电源应用中且输出维持在线性工作范围内的某点，则会有直流负载电流流过。
因此，
运算放大器静态功率耗散的计算公式为 方程式 6：
其中
直流负载功率的计算公式为 方程式 7：
其中
交流负载功率的计算方式为 PAC = 表 7-1 中所示的值。
表 7-1 显示了运算放大器在标准正弦波、三角波和方波波形下耗散的负载功耗的最大交流分量：
| PAC (W.Ω/V2) | ||
|---|---|---|
| 正弦波 | 三角波 | 方波 |
| 50.7 × 10–3 | 46.9 × 10–3 | 62.5 × 10–3 |
表格条目已归一化至 VS2/RL。要计算功率耗散的交流负载电流分量，只需将输出波形对应的表格条目乘以因子 VS2/RL 即可。例如，在 ±12V 电源、600Ω 负载以及三角波形条件下，输出级的功率耗散计算如下：
特定温度下允许的最大功率耗散是允许最大裸片结温 (TJ(MAX))、环境温度 TA 和结至环境的封装热阻 RθJA 的函数。
对于 LM7332 系列，允许的最高结温为 150°C，达到该温度时不允许功率耗散。25°C 温度下的功率能力通过以下公式计算得出：
对于 VSSOP 封装：
对于 SOIC 封装：
同样，125°C 温度下的功率能力通过以下公式计算得出：
对于 VSSOP 封装：
对于 SOIC 封装：
当器件在 PTOTAL 小于 PD (MAX) 的工作区域工作时，器件结温保持在 150°C 以下。当需要高功率但无法降低环境温度时，提供气流是降低热阻从而提高功率能力的有效方法。