ZHCSX17A September   2024  – May 2025 LM65625-Q1 , LM65635-Q1 , LM65645-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输出电压选择
      2. 7.3.2 EN 引脚和 VIN UVLO 用途
      3. 7.3.3 模式选择
        1. 7.3.3.1 MODE/SYNC 引脚用于同步
        2. 7.3.3.2 时钟锁定
      4. 7.3.4 可调开关频率
      5. 7.3.5 双随机展频 (DRSS)
      6. 7.3.6 内部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 输入
      7. 7.3.7 自举电压（BST 引脚）
      8. 7.3.8 软启动和从压降中恢复
      9. 7.3.9 安全功能
        1. 7.3.9.1 电源正常监视器
        2. 7.3.9.2 过流和短路保护
        3. 7.3.9.3 断续
        4. 7.3.9.4 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式
      2. 7.4.2 工作模式
        1. 7.4.2.1 峰值电流模式运行
        2. 7.4.2.2 自动模式运行
          1. 7.4.2.2.1 二极管仿真
        3. 7.4.2.3 FPWM 模式运行
        4. 7.4.2.4 压降
        5. 7.4.2.5 从压降中恢复
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
        2. 8.2.2.2 选择开关频率
        3. 8.2.2.3 可调节或固定输出电压模式的 FB
        4. 8.2.2.4 电感器选型
        5. 8.2.2.5 输出电容器选型
        6. 8.2.2.6 输入电容器选型
        7. 8.2.2.7 CBOOT
        8. 8.2.2.8 外部 UVLO
        9. 8.2.2.9 最高环境温度
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 最佳设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
        1. 8.5.1.1 接地及散热注意事项
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
      2. 9.1.2 开发支持
        1. 9.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.9.2 过流和短路保护

LM656x5-Q1 通过针对高侧和低侧 MOSFET 的逐周期电流限制在过流情况下得到保护。

高侧 MOSFET 过流保护是通过峰值电流模式控制的特性来实现的。当高侧开关在较短的消隐时间后导通时，将检测到高侧开关电流。在每个开关周期，将高侧开关电流与固定电流设定点的最小值，或与电压调节环路的输出减去斜率补偿之后的值进行比较。由于电压环路具有最大值并且斜率补偿随占空比增加，因此如果占空比高于 35%，高侧电流限值会随着占空比的增加而减小。

当低侧开关接通时，也会检测和监控流经的电流。与高侧 MOSFET 一样，电压控制环路会控制低侧 MOSFET 关断。对于低侧器件，即使振荡器正常启动一个新的开关周期，也会在超过电流限值时阻止关断。与高侧器件一样，关断电流的高低也受到限制。该限制称为低侧电流限制；有关具体值，请参阅电气特性。如果超出 LS 电流限值，LS MOSFET 将保持导通状态，HS 开关不会导通。LS 开关在 LS 电流降至限值以下后关断。只要自 HS 器件上次导通后至少经过一个时钟周期 HS 开关就会再次导通。

LM65625-Q1 LM65635-Q1 LM65645-Q1 电流限值波形图 7-9 电流限值波形

高侧和低侧限流运行的最终影响是 IC 在迟滞控制下运行。由于电流波形假定值介于 IL-HS 和 IL-LS 之间，因此除非占空比非常高，否则输出电流接近这两个值的平均值。在电流限制下运行之后将使用迟滞控制，并且电流不会随着输出电压接近零而增加。

如果占空比非常高，则电流纹波必须非常低以防止不稳定；请参阅节 8.2.2.4。由于电流纹波较低，因此该器件能够提供全负载电流。提供的电流接近 IL-LS。

过载条件一旦消除，器件就会像在软启动中一样恢复；请参阅节 7.3.8。请注意，如果输出电压降至预期输出电压的大约 0.4 倍以下且连续过去 64 个开关周期，则会触发断续。