以下项目必须应用于每个通道。
- 在顶层组装器件。
- 将 PGND1、PGND2 和 PGND3 引脚直接连接到顶层的 DAP。
- 在底层的 VCC 和 DAP 之间组装一个公共 10μF VCC 电容器。
- 在 CSA-CSB 处使用差模滤波器（100Ω 和 220pF）。将 100Ω 连接到 CSA。
- 将 CSA 和 CSB 走线并联。
- 在顶层的 HB 和 SW 之间组装 0.1μF HB 电容器。
- 在升压模式下将 SENSE1 引脚连接到高边 MOSFET 的漏极连接。
- 将 SENSE1 引脚连接到 SEPIC 拓扑中的输出。
- 在 BIAS 和接地端之间连接一个 1μF BIAS 电容器。
- 在 VDD 和 AGND 引脚间连接一个 0.1μF VDD 电容器。
- 在 COMP 和 AGND 之间连接环路补偿元件。
以下项目必须应用于每个降压通道。
- 在顶层的 VCC 和 PGND 之间组装 0.1μF 本地 VCC 电容器。
- 从本地 VCC 电容器的正极连接到顶层 HB 电容器的正极连接，组装本地自举二极管（肖特基二极管）。
- 从 HO 到高边 MOSFET 的栅极组装最小 1.5Ω 的栅极电阻器，并且并联组装下拉 PNP 晶体管。
- 从 LO 到低边 MOSFET 的栅极组装最小 1.5Ω 的栅极电阻器，并且并联组装下拉 PNP 晶体管。
- 使用其 rDS(on) 在室温下大于 8mΩ 的低边 MOSFET。
- 使用最小 2.5mm 宽的走线（长度 < 0.8 英寸）将低边 MOSFET 的源极连接直接连接到 PGND。
- 使用最小 2.5mm 宽的走线（长度 < 0.8 英寸）将低边 MOSFET 的漏极连接直接连接到 SW。
- 并联 SW 和 PGND。
当 CH2 和 CH3 配置为双相交错降压时，必须应用以下项目。
- 将两个 RS 电阻器尽可能靠近放置。
- 在两个电阻器和输出接地之间的中点放置一个陶瓷输出电容器。