ZHCSMA4A october   2020  – december 2020 LM5127-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 说明（续）
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  器件启用（EN、VCC_HOLD）
      2. 8.3.2  双输入 VCC 稳压器（BIAS、VCCX、VCC）
      3. 8.3.3  双输入 VDD 开关（VDD、VDDX）
      4. 8.3.4  器件配置和轻负载开关模式选择 (CFG/MODE)
      5. 8.3.5  固定或可调输出稳压目标（VOUT、FB）
      6. 8.3.6  过压保护（VOUT、FB）
      7. 8.3.7  电源正常状态指示器 (PGOOD)
      8. 8.3.8  可编程开关频率 (RT)
      9. 8.3.9  外部时钟同步 (SYNC)
      10. 8.3.10 可编程展频 (DITHER)
      11. 8.3.11 可编程软启动 (SS)
      12. 8.3.12 使用 VCC_HOLD 快速重新启动 (VCC_HOLD)
      13. 8.3.13 跨导误差放大器和 PWM (COMP)
      14. 8.3.14 电流检测和斜率补偿（CSA、CSB）
      15. 8.3.15 恒定峰值电流限制（CSA、CSB）
      16. 8.3.16 最大占空比和最小可控导通时间限制（升压）
      17. 8.3.17 旁路模式（升压）
      18. 8.3.18 最短可控导通时间和最短可控关断时间限制（降压）
      19. 8.3.19 用于扩展的最小输入电压的低压降模式（降压）
      20. 8.3.20 可编程断续模式过载保护 (RES)
      21. 8.3.21 MOSFET 驱动器和断续模式故障保护（LO、HO、HB）
      22. 8.3.22 电池监测器（BMOUT、BMIN_FIX、BMIN_PRG）
      23. 8.3.23 大电流电源的双相交错配置 (CFG)
      24. 8.3.24 热关断保护
      25. 8.3.25 外部 VCCX 电源可降低功耗
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 器件状态
        1. 8.4.1.1 关断模式
        2. 8.4.1.2 配置模式
        3. 8.4.1.3 运行模式
        4. 8.4.1.4 睡眠模式
        5. 8.4.1.5 深度睡眠模式
          1. 8.4.1.5.1 在深度睡眠模式下切断泄漏路径（DIS、SLEEP1、SENSE1）
        6. 8.4.1.6 VCC HOLD 模式
      2. 8.4.2 轻负载开关模式
        1. 8.4.2.1 强制 PWM (FPWM) 运行
        2. 8.4.2.2 二极管仿真 (DE) 运行（在 SS 处连接 RSS）
        3. 8.4.2.3 FPWM 模式下的强制二极管仿真操作
        4. 8.4.2.4 跳跃模式运行
      3. 8.4.3 LM5127 速查表
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 建议的电源树架构
        2. 9.2.2.2 应用理念
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 系统示例
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
      2. 12.1.2 开发支持
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6 引脚配置和功能

GUID-20200923-CA0I-RLBG-0C6R-CP9W0LLZZLTV-low.gif图 6-1 具有可湿性侧面的 48 引脚 QFN/RGZ 封装（顶视图）
表 6-1 引脚功能
引脚 I/O(3) 说明
编号 名称
39 AGND G 模拟接地引脚。通过一条宽而短的路径连接到模拟接地层。
30 BIAS P VCC 稳压器的电源电压输入。在该引脚与接地之间连接一个 1μF 本地 BIAS 电容器。
31 CFG/MODE I 器件配置（升压或降压、单相或双相）和开关模式（FPWM 或跳跃模式）选择引脚。在 FPWM 模式下，通过在 SS 和 AGND 之间连接 57.6kΩ 启用二极管仿真模式。
4 COMP1 O 内部跨导误差放大器的输出。在引脚和 AGND 之间连接环路补偿元件。
15 COMP2
34 COMP3
6 CSA1 I 电流检测放大器输入引脚。在升压配置中，该引脚用作负输入引脚。在降压配置中，该引脚用作正输入引脚。
17 CSA2
32 CSA3
5 CSB1/VOUT1 I 电流检测放大器输入引脚。在升压配置中，该引脚用作正输入引脚。在降压配置中，该引脚用作负输入引脚并检测固定输出电压选项的输出电压。VDDX 是 VDD 电源的可选输入。如果 VOUT3 稳压目标为 3.3V 且器件处于深度睡眠模式，则当 VDD 小于 3.4V（典型值）时，VDDX 在内部连接到 VDD。
16 CSB2/VOUT2
33 CSB3/VOUT3/VDDX
48 DIS/BMOUT O 当 CH1 配置为预升压时，DIS 引脚用作电阻分压器断开引脚。当至少一个通道处于运行模式时，该引脚被拉低。为更大限度地减小流经电阻分压器的漏电流，当所有启用的通道都处于睡眠模式（SLEEP1 > 1.02V，SENSE1 > 6.0V）时，引脚会在关断期间和深度睡眠模式期间断开。当 CH1 配置为降压时，该引脚用作电池监测器输出。当 BMIN_FIX 小于 5.7V 或 BMIN_PRG 小于 1.0V 时，该引脚被拉低。当 BMIN_FIX 大于 6.0V 时，该引脚断开。
44 EN1 I 启用引脚。如果 EN 小于 0.4，则通道处于关断模式。该引脚必须升至 2.0V 以上才能启用通道。不使用时连接至 BIAS。
43 EN2
42 EN3
3 FB1/VOSEL1 I 误差放大器负反馈输入或固定输出电压选择引脚。在降压配置中，将此引脚连接到 AGND 可实现 3.3V 输出，将引脚连接到 VDD 可实现 5V 输出；或将反馈电阻器连接到此引脚，用于对输出稳压目标进行编程。在升压配置中，始终将反馈电阻器连接到此引脚，用于对输出稳压目标进行编程。
14 FB2/VOSEL2
35 FB3/VOSEL3
8 HB1 P 用于自举栅极驱动的高边驱动器电源。在升压配置中，自举二极管在内部从 VCC 连接到该引脚。在降压拓扑中，将外部自举二极管从该引脚连接到 VCC。在该引脚和 SW 之间连接一个 0.1μF 电容器。将 HB 直接连接到 VCC 以进行非同步升压操作。
20 HB2
29 HB3
10 HO1 O 高边栅极驱动器输出。通过一条短的低电感路径连接到 N 沟道 MOSFET 的栅极。
22 HO2
27 HO3
12 LO1 O 低边栅极驱动器输出。通过一条短的低电感路径直接连接到 N 沟道 MOSFET 的栅极。
24 LO2
25 LO3
11 PGND1 G 电源地引脚。通过一条短的低电感路径直接连接到 N 沟道 MOSFET 的源极。
23 PGND2
26 PGND3
47 PGOOD1 O 具有开漏输出的电源正常状态指示器。在降压配置中，当 VOUT 超出稳压窗口时，该引脚被拉低。在升压配置中，当 VOUT 低于稳压目标时，该引脚被拉低。
46 PGOOD2
45 PGOOD3
40 RES O 重新启动计时器引脚。RES 和 AGND 之间的电容器决定了在断续模式下通道自动重新启动之前保持关断的时间。如果该引脚连接到 AGND，则该通道在断续模式关断时间后从不会重新启动，直到切换 EN。如果引脚在初始上电期间连接到 VDD，则会禁用断续模式故障计数器，并且器件以非断续模式逐周期电流限制运行。每个通道的故障计数器独立运行。一个通道可以采用正常模式运行，而另一个通道受到断续模式过载保护。
38 RT I/O 开关频率设置引脚。如果没有外部时钟应用于 SYNC，则开关频率由 RT 和 AGND 之间的单个电阻器设置。
7 SENSE1/BMIN_FIX I 当 CH1 配置为同步升压时，SENSE1 检测输出电压。在升压配置中，连接该引脚时，应尽可能靠近高边 MOSFET 的漏极连接。当 CH1 配置为降压时，BMIN_FIX 用作固定阈值电池监测器输入引脚。
1 SLEEP1/BMIN_PRG I 当 CH1 配置为升压时，如果 SLEEP1 大于 1.0V，则允许进入睡眠模式。当 CH1 配置为降压时，BMIN_PRG 用作可编程阈值电池监测器输入引脚。
2 SS1 I/O 软启动时间编程引脚。该器件会在软启动期间强制进行二极管仿真。通过在 FPWM 模式下将 57.6kΩ 接地，该器件可在二极管仿真中工作，而不进入睡眠模式。当 SS 接地时，开关停止。
13 SS2
36 SS3
9 SW1 P 开关节点。通过一条短的低电感路径直接连接到高边 MOSFET 的源极和低边 MOSFET 的漏极。将 SW 直接连接到 PGND 以进行非同步升压操作。
21 SW2
28 SW3
41 SYNC/DITHER /VCC_HOLD I/O 外部同步时钟输入或抖动频率编程引脚。内部振荡器可以在运行期间与外部时钟同步。如果 VCC_HOLD > 2.0V，则当所有 EN 引脚接地时，器件将保持 VCC 引脚电压高于 VCC UVLO 阈值，这有助于在不重新配置的情况下立即重新启动开关操作。如果在该引脚和 AGND 之间连接一个电容器，则启用抖动。在此模式下，通过 20μA 拉电流/灌电流对电容器进行充电和放电。随着引脚上的电压上升和下降，振荡器频率在由 RT 电阻设置的标称频率的 –7% 和 +7% 之间调制。通过将引脚下拉至地，可以在运行期间禁用抖动。如果不使用该引脚，则将该引脚连接到 AGND。
19 VCC P VCC 辅助电源引脚。在该引脚和电源地之间连接一个 10μF VCC 电容器。
18 VCCX P 用于外部 VCC 电源的可选输入。如果 VCCX > 4.5V，则 VCCX 在内部连接到 VCC。在该引脚和 PGND 之间连接一个 0.47μF 本地 VCCX 电容器。如果未使用 VCCX，则必须将该引脚接地。
37 VDD P VDD 辅助电源引脚。在该引脚和 AGND 之间连接一个 0.1μF VDD 电容器。
- EP 封装的裸露焊盘。EP 在内部连接至 AGND。必须将 EP 焊接到较大的模拟接地层以降低热阻。
(3) G = 地，I = 输入，O = 输出，P = 电源