ZHCSI85C May 2018 – November 2024 LM26420-Q1
PRODUCTION DATA
输入电容器提供附近电源开关所需的交流电流,使上游电源提供的电流不含太多交流分量,从而产生更少的 EMI。对于相关的降压稳压器,输入电容器还可防止 FET 开关的漏极电压在 FET 导通时降低,因此,可以为 LM26420-Q1 提供正常运行的电源轨,为其供电。由于通常大多数交流电流由本地输入电容器提供,因此这些电容器中的功率损耗可能会成为一个问题。对于 LM26420-Q1,由于两个通道以 180° 的相位差运行,因此输入电容器中的交流应力小于以同相方式运行时的交流应力。交流应力的测量称为输入纹波 RMS 电流。TI 强烈建议在每个 VIND 引脚旁边至少放置一个 10µF 陶瓷电容器。可以添加电解电容器或 OSCON 电容器等大容量电容器,以帮助稳定本地线路电压,尤其是在发生大负载瞬态事件期间。对于陶瓷电容器,应使用 X7R 或 X5R 类型。它们可以在宽温度范围内保持大部分电容。尽量避免使用小于 0805 的尺寸。否则,直流偏置电压可能会导致电容显著下降。更多信息请参阅节 7.2.1.2.4 部分。陶瓷电容器的直流电压额定值必须高于最高输入电压。
电容器温度是电路板设计中的重要考虑因素。可以先使用 10µF 或更高的 MLCC 作为输入电容器,然后检查实际热环境中的温度,以确保电容器没有过热。电容器供应商可以根据指定的热阻抗提供纹波 RMS 电流与温升间的关系曲线。实际上,热阻抗可能有很大不同,因此检查电路板上的电容器温度始终是一个好主意。
由于两个通道的占空比可能重叠,因此输入纹波 RMS 电流的计算有点繁琐 - 使用方程式 16:

其中
Iav = I1 × D1 + I2 × D2。要快速确定 d1、d2 和 d3 的值,请参阅图 7-9 中的决策树。要确定每个通道的占空比,请使用 D = VOUT/VIN 以获得快速结果,或使用方程式 17 以获得更准确的结果。

其中
示例:
IOUT1 与输入纹波 RMS 电流公式中的 I1 相同,IOUT2 与 I2 相同。
首先,找出占空比。将数字代入占空比公式,得到 D1 = 0.75、D2 = 0.33。接下来,按照图 7-9 中的决策树找出 d1、d2 和 d3 的值。在本例中,d1 = 0.5、d2 = D2 + 0.5 – D1 = 0.08、d3 = D1 – 0.5 = 0.25。Iav = IOUT1 × D1 + IOUT2 × D2 = 1.995A。将所有数字代入输入纹波 RMS 电流公式,结果为 IIR(rms) = 0.77A。
图 7-9 确定 D1、D2 和 D3