ZHCSPK0A July 2022 – August 2026 ISOW7721
PRODUCTION DATA
若要使用此器件进行设计,请使用表 8-1 中列出的参数。
| 参数 | 值 |
|---|---|
| VDD 输入电压 | 3V 至 5.5V |
| VIO 输入电压 | 1.71V 至 5.5V |
| VISOIN 输入电压 | 1.71V 至 5.5V |
| VDD 解耦电容器 | 10µF + 1µF + 0.01µF + 可选附加电容 |
| VIO 解耦电容器 | 0.1µF + 可选附加电容 |
| VISOIN 解耦电容器 | 0.1µF + 可选附加电容 |
| VISOOUT 解耦电容器 | 10µF + 1µF + 0.01µF + 可选附加电容 |
| VISOOUT 至 VISOIN 串联电感器 | BLM15ELX9331SN1D |
| GND2 至 GISOIN 串联电感器 | BLM15ELX9331SN1D |
| VIO 串联电感器 | BLM15ELX9331SN1D |
| VDD 串联电感器 | BLM15ELX9331SN1D |
流过 ISOW7721 VDD 和 VISOOUT 电源的电流很大,因此通常去耦电容器越大,器件的噪声和纹波性能就越出色。尽管 10µF 的电容器就足够了,但强烈建议在 VDD 和 VISOOUT 引脚与相应接地端之间使用更大的去耦电容器(例如 47µF),以实现更佳性能。