ZHCSYO3A July   2025  – August 2025 INA600

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性 - INA600A
    6. 6.6 电气特性 - INA600B
    7. 6.7 电气特性 - INA600F
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 增益选项和电阻器
        1. 7.3.1.1 增益误差和漂移
      2. 7.3.2 输入共模电压范围
      3. 7.3.3 EMI 抑制
      4. 7.3.4 典型规格与分布
      5. 7.3.5 电过应力
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 基准引脚
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 使用差分放大器进行 48V 电池监控
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
        1. 9.1.1.1 PSpice® for TI
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性 - INA600A

对于 VS = (V+) – (V-) = 2.7V 至 40V（±1.35V 至 ±20V），TA = 25°C，VREF = VS /2，G = 1/5，RL = 10kΩ，连接到 VS/2，VCM = (VIN+ + VIN–)/2 = VS/2，VIN = (VIN+ – VIN–) = 0V 和 VOUT = VS/2（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
偏移
VOSO 失调电压，RTO VS = 2.7V 和 40V TA = 25°C ±1.1 ±4.5 mV
失调电压随温度变化的情况，RTO TA = -40°C 至 125°C ±5.0 mV
失调电压温漂，RTO(1) TA = -40°C 至 125°C ±2 ±10 µV/°C
PSRR 电源抑制比，RTO VS = 4V 至 40V TA = 25°C   2.5 10 µV/V
PSRR 电源抑制比，RTO VS = 2.7V 至 40V TA = 25°C   3 15 µV/V
输入阻抗
RIN-DM 差分电阻 2400 kΩ 
RIN-CM 共模电阻 635 kΩ 
输入电压
VCM 输入共模范围 VS = 2.7V (V–) – 2.5 (V–) + 22.5 V
VCM 输入共模范围 VS = 4.5V (V–) – 25 (V–) + 50 V
VCM 输入共模范围 VS = 9V 至 40V (V–) – 40 (V–) + 85 V
CMRR DC 共模抑制比，RTO 2.7V ≤ VS < 4.5V VCM = (V–) – 2.5V 至 (V–) + 22.5V  91 dB
CMRR DC 共模抑制比，RTO 4.5V ≤ VS < 9V VCM = (V–) – 25V 至 (V–) + 50V  91 dB
CMRR DC 共模抑制比，RTO 9 V ≤ VS ≤ 40 V VCM = (V–) – 40V 至 (V–) + 85V  91 114 dB
噪声电压
eNI 输出电压噪声密度 VS = 40V f = 1kHz 245 nV/√Hz
f = 10kHz 240
ENI 输出电压噪声 fB = 0.1Hz 至 10Hz 13.5 µVPP
fB = 0.1Hz 至 150kHz 650 µVPP
增益
GE 增益误差(2) VS = 2.7V，VREF = VMID VO = (V–) + 0.15V 至 (V+) – 0.15V ±0.003 ±0.05 %
增益漂移与温度间的关系(2) VS = 2.7V，VREF = VMID TA = -40°C 至 125°C ±5 ppm/°C
输出
VOH 正负电源轨余量 VS = 40V，VREF = VS，RL = 10kΩ 至 VMID 80 150 mV
VOL VS = 40V，VREF = VS，RL = 2kΩ 至 VMID 400 650 mV
CL 驱动 负载电容驱动 VO = 100mV 阶跃，过冲 < 20% 200 pF
ZO 闭环输出阻抗 f = 10kHz 50 Ω
ISC 短路电流 VS = 40V ±50 mA
频率响应
BW 带宽，–3dB VIN = 10mVpk-pk 225 kHz
THD + N 总谐波失真 + 噪声 VS = 40V，VREF = 2.5V，VO = 5VPP，RL = 100kΩ
ƒ = 1kHz，80kHz 测量 BW		 0.03 %
EMIRR 电磁干扰抑制比 f = 1GHz，VIN_EMIRR = 100mV，差分模式 125 dB
SR 压摆率 VS = 40V，VO = 1V 阶跃 0.32 V/µs
tS 趋稳时间 精度为 0.1%，VS = 40V，VOUT_STEP = 1V，CL = 10pF 10 µs
tS 趋稳时间 精度为 0.01%，VS = 40V，VOUT_STEP = 1V，CL = 10pF 16 µs
tS 趋稳时间 精度为 0.1%，VS = 40V，VOUT_STEP = 5V，CL = 10pF 18 µs
tS 趋稳时间 精度为 0.01%，VS = 40V，VOUT_STEP = 5V，CL = 10pF 24 µs
过载恢复 VS = 2.7V，VIN– = 0V，VIN+ = 85V 和and VREF = VS / 2 7.5 µs
参考输入
REF - VIN 输入电压范围 VS = 40V，VREF = VMID (V–)  (V+)  V
REF - G 以输出为基准的增益 1 V/V
REF - GE 基准增益误差(2) VS = 40V ±0.002 ±0.05 %
电源
VS 电源电压 双电源 ±1.35 ±20 V
IQ 静态电流 VS = 2.7V 50 µA
IQ 静态电流 VS = 40V 65 90 µA
VS = 40V TA = -40°C 至 125°C 95
(1) 失调漂移具有不相关性。 
(2) 最小值和最大值由表征特性指定。