ZHCS219D July 2011 – December 2024 DRV8803
PRODUCTION DATA
DRV8803DW 封装使用标准 SOIC 外形,但其中心引脚在内部熔合到芯片焊盘,以更高效地实现器件散热。封装每一侧的两个中心引线应连接在一起,并且连接到 PCB 上尽可能大的覆铜区域,以便器件散热。如果覆铜区域位于 PCB 与器件相反的一侧,则使用热过孔来传递顶层和底层之间的热量。
一般来说,提供的覆铜区域面积越大,消耗的功率就越多。
DRV8803PWP(HTSSOP 封装)和 DRV8803DYZ(SOT-23-THN 封装)使用外露的散热焊盘。外露焊盘可去除器件上的热量。为了确保正常运行,该焊盘必须热接至 PCB 上的覆铜区域以实现散热。在带有接地平面的多层 PCB 上,可以通过增加多个过孔将散热垫连接到接地平面来实现这种连接。在没有内部平面的 PCB 上,可以在 PCB 的任一侧增加覆铜区域以实现散热。如果覆铜区域位于 PCB 与器件相反的一侧,则使用热过孔来传递顶层和底层之间的热量。
有关如何设计 PCB 的详细信息,请参阅 www.ti.com 上的 TI 应用报告《PowerPAD 耐热增强型封装》(文献编号:SLMA002)和 TI 应用简报《PowerPAD 速成》(文献编号:SLMA004)。