ZHCS219D July   2011  – December 2024 DRV8803

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输出驱动器
      2. 7.3.2 保护电路
        1. 7.3.2.1 过流保护 (OCP)
        2. 7.3.2.2 热关断 (TSD)
        3. 7.3.2.3 欠压锁定 (UVLO)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 并行接口运行
      2. 7.4.2 nENBL 和 RESET 操作
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 作为负载驱动器的应用
        1. 8.1.1.1 设计要求
        2. 8.1.1.2 详细设计过程
          1. 8.1.1.2.1 电源电压
          2. 8.1.1.2.2 负载电流
            1. 8.1.1.2.2.1 峰值电流
            2. 8.1.1.2.2.2 保持电流
            3. 8.1.1.2.2.3 频率
        3. 8.1.1.3 应用曲线
      2. 8.1.2 用作单极步进驱动器的应用
        1. 8.1.2.1 设计要求
        2. 8.1.2.2 详细设计过程
          1. 8.1.2.2.1 电机电压
          2. 8.1.2.2.2 驱动电流
        3. 8.1.2.3 应用曲线
    2.     电源相关建议
      1. 8.2.1 大容量电容
    3. 8.2 布局
      1. 8.2.1 布局指南
      2. 8.2.2 布局示例
      3. 8.2.3 散热注意事项
        1. 8.2.3.1 热保护
        2. 8.2.3.2 功率耗散
        3. 8.2.3.3 散热
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 社区资源
    3. 9.3 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

TA = 25°C,在建议运行条件下测得(除非另有说明)
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源
IVMVM 工作电源电流VM = 24V1.62.1mA
VUVLOVM 欠压锁定电压VM 上升8.2V
逻辑电平输入(具有磁滞功能的施密特触发输入)
VIL输入低电压0.60.7V
VIH输入高电压2V
VHYS输入迟滞0.45V
IIL输入低电流VIN = 0-2020μA
IIH输入高电流VIN = 3.3V100μA
RPD下拉电阻100
nFAULT 输出(漏极开路输出)
VOL输出低电压IO = 5mA0.5V
IOH输出高泄漏电流VO = 3.3 V1μA
低侧 FET
RONFET 导通电阻,

HTSSOP 和 SOIC 封装

VM = 24V,IO = 700mA,TJ = 25°C0.5
VM = 24V,IO = 700mA,TJ = 85°C0.750.8

FET 导通电阻,SOT-23-THN 封装

VM = 24V,IO = 700mA,TJ = 25°C

0.4

VM = 24V,IO = 700mA,TJ = 85°C

0.64

IOFF关断状态漏电流-5050μA
高侧二极管
VF二极管正向电压VM = 24V,IO = 700mA,TJ = 25°C1.2V
IOFF关断状态漏电流VM = 24V,TJ = 25°C-5050μA
输出
tR上升时间VM = 24V,IO = 700mA,电阻负载50300ns
tF下降时间VM = 24V,IO = 700mA,电阻负载50300ns
保护电路
IOCP过流保护跳变电平2.33.8A
tOCP过流保护抗尖峰脉冲时间3.5µs
tRETRY过流保护重试时间1.2ms
tTSD热关断温度裸片温度(1)150160180°C
未经生产测试。