ZHCS219D July   2011  – December 2024 DRV8803

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输出驱动器
      2. 7.3.2 保护电路
        1. 7.3.2.1 过流保护 (OCP)
        2. 7.3.2.2 热关断 (TSD)
        3. 7.3.2.3 欠压锁定 (UVLO)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 并行接口运行
      2. 7.4.2 nENBL 和 RESET 操作
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 作为负载驱动器的应用
        1. 8.1.1.1 设计要求
        2. 8.1.1.2 详细设计过程
          1. 8.1.1.2.1 电源电压
          2. 8.1.1.2.2 负载电流
            1. 8.1.1.2.2.1 峰值电流
            2. 8.1.1.2.2.2 保持电流
            3. 8.1.1.2.2.3 频率
        3. 8.1.1.3 应用曲线
      2. 8.1.2 用作单极步进驱动器的应用
        1. 8.1.2.1 设计要求
        2. 8.1.2.2 详细设计过程
          1. 8.1.2.2.1 电机电压
          2. 8.1.2.2.2 驱动电流
        3. 8.1.2.3 应用曲线
    2.     电源相关建议
      1. 8.2.1 大容量电容
    3. 8.2 布局
      1. 8.2.1 布局指南
      2. 8.2.2 布局示例
      3. 8.2.3 散热注意事项
        1. 8.2.3.1 热保护
        2. 8.2.3.2 功率耗散
        3. 8.2.3.3 散热
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 社区资源
    3. 9.3 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
8.1.2.2.2 驱动电流

电流路径从电源 VM 开始，流经电感绕组负载和低侧灌电流 NMOS 功率 FET。一个灌电流 NMOS 功率 FET 中的功率耗散损耗如 方程式 2 所示。

方程式 2. P = I2 × RDS(on)

经测量，DRV8803 器件支持 1.5A 单通道或 800mA 四通道（采用 DW 封装）、2A 单通道或 1A 四通道（采用 PWP 封装）以及 1.9A 单通道或 0.9A 四通道（采用 DYZ 封装），在 25°C 下使用标准 FR-4 PCB 测得。最大 RMS 电流因 PCB 设计和环境温度而异。