ZHCSVS7 April   2024 DRV8215

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 I2C 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 典型工作特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部组件
      2. 7.3.2 特性汇总
      3. 7.3.3 电桥控制
      4. 7.3.4 电流检测和调节 (IPROPI)
        1. 7.3.4.1 电流检测和电流镜增益选择
        2. 7.3.4.2 电流调节
          1. 7.3.4.2.1 固定关断时间电流调节
          2. 7.3.4.2.2 逐周期电流调节
      5. 7.3.5 失速检测
      6. 7.3.6 电机电压和转速调节
        1. 7.3.6.1 内部电桥控制
        2. 7.3.6.2 设置速度/电压调节参数
          1. 7.3.6.2.1 速度和电压设置
          2. 7.3.6.2.2 速度比例因子
            1. 7.3.6.2.2.1 目标速度设置示例
          3. 7.3.6.2.3 电机电阻倒数
          4. 7.3.6.2.4 电机电阻倒数范围
          5. 7.3.6.2.5 KMC 比例因子
          6. 7.3.6.2.6 KMC
          7. 7.3.6.2.7 VSNS_SEL
        3. 7.3.6.3 软启动和软停止
          1. 7.3.6.3.1 TINRUSH
      7. 7.3.7 保护电路
        1. 7.3.7.1 过流保护 (OCP)
        2. 7.3.7.2 热关断（TSD）
        3. 7.3.7.3 VCC 欠压锁定 (UVLO)
        4. 7.3.7.4 过压保护 (OVP)
        5. 7.3.7.5 nFAULT 输出
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 工作模式
      2. 7.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.4.3 故障模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 通信
        1. 7.5.1.1 I2C 写入
        2. 7.5.1.2 I2C 读取
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 DRV8215_STATUS 寄存器
    2. 8.2 DRV8215_CONFIG 寄存器
    3. 8.3 DRV8215_CTRL 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用：有刷直流电机
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 失速检测
        1. 9.2.2.1 应用描述
          1. 9.2.2.1.1 失速检测时序
          2. 9.2.2.1.2 硬件失速阈值选择
      3. 9.2.3 电机转速和电压调节应用
        1. 9.2.3.1 调整参数
          1. 9.2.3.1.1 电阻参数
          2. 9.2.3.1.2 KMC 和 KMC_SCALE
            1. 9.2.3.1.2.1 案例 I
            2. 9.2.3.1.2.2 案例 II
              1. 9.2.3.1.2.2.1 方法 1：从头开始调优
                1. 9.2.3.1.2.2.1.1 KMC_SCALE 调优
                2. 9.2.3.1.2.2.1.2 KMC 调优
              2. 9.2.3.1.2.2.2 方法 2：使用比例因子
                1. 9.2.3.1.2.2.2.1 工作示例
      4. 9.2.4 电机电压
      5. 9.2.5 电机电流
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 大容量电容
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.7.1 过流保护 (OCP)

每个 FET 上的模拟电流限制电路都将通过在内部限制栅极驱动器来限制流经 FET 的电流。如果此模拟电流限制的持续时间超过 OCP 抗尖峰脉冲时间 (tOCP)，则 H 桥中的所有 FET 将禁用，FAULT 和 OCP 位将变为 1b，并且 nFAULT 引脚将被拉至低电平。

OCP_MODE 位对器件对过流事件的响应进行编程。该器件可以锁存或执行自动重试，以便从过流事件中恢复。

在自动重试模式下，MOSFET 会禁用，nFAULT 引脚将在 tRETRY 的持续时间内被驱动为低电平。经过 tRETRY 时间后，MOSFET 会根据控制输入重新启用。如果过流条件仍然存在，则会重复此周期，否则器件将恢复正常运行。下图对此进行了说明 -

在闭锁模式下，MOSFET 将保持禁用状态，nFAULT 引脚将被驱动为低电平，直到通过 CLR_FLT 命令或通过对 VM 电源进行下电上电使器件复位。

在高侧和低侧 FET 上单独检测到过流情况。这意味着接地短路、电源短路或跨电机绕组短路都会导致过流关断。过流保护不使用用于电流调节的电流检测电路，因此无论 VREF 和 IPROPI 设置如何，它都能正常工作。