ZHCSVS7 April 2024 DRV8215
PRODUCTION DATA
表 8-14 列出了 DRV8215_CONFIG 寄存器的存储器映射寄存器。表 8-14中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位置,并且不应修改寄存器内容。
偏移 | 首字母缩写词 | 寄存器名称 | 部分 |
---|---|---|---|
9h | CONFIG0 | 配置寄存器 - 故障 (1/5)。 | 节 8.2.1 |
Ah | CONFIG1 | 配置寄存器 - (2/5)。 | 节 8.2.2 |
Bh | CONFIG2 | 配置寄存器 - (3/5)。 | 节 8.2.3 |
Ch | CONFIG3 | 配置寄存器 - (4/5)。 | 节 8.2.4 |
Dh | CONFIG4 | 配置寄存器 - (5/5)。 | 节 8.2.5 |
复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表 8-15 展示了适用于此部分中访问类型的代码。
访问类型 | 代码 | 说明 |
---|---|---|
读取类型 | ||
R | R | 读取 |
写入类型 | ||
W | W | 写入 |
复位或默认值 | ||
-n | 复位后的值或默认值 |
表 8-16 展示了 CONFIG0。
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启用/禁用各种故障。
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7 | EN_OUT | R/W | 0h | 0b:所有驱动器 FET 均为高阻态。 1b:启用驱动器输出。 |
6 | EN_OVP | R/W | 1h | 启用 OVP 特性。默认为 1b,上电后可设置为 0b 以禁用 OVP 特性。 有关进一步说明,请参阅节 7.3.7.1。 |
5 | EN_STALL | R/W | 1h | 启用失速检测特性。通过将该位设置为 0b,可禁用失速检测特性。 有关进一步说明,请参阅节 7.3.5下的 EN_STALL 配置。 |
4 | VSNS_SEL | R/W | 0h | 0b:使用模拟低通滤波器对输出电压求平均值以进行电压调节。有关模拟低通滤波器的进一步说明,请参阅 OUT_FLT。0b 是建议值。 1b:使用数字低通滤波器进行电压调节。该选项将占空比与 VM 相乘,得到输出电压。 |
3 | VM_GAIN_SEL | R/W | 0h | 选择电压范围,以便在电压调节过程中获得更好的分辨率,以实现较小电压。 0b:电压范围为 0V 至 16V。 1b:电压范围为 0V 至 4V。 有关进一步说明,请参阅节 7.3.6.2.1。 |
2 | RSVD | R/W | 0h | 保留。 |
1 | CLR_FLT | R/W | 0h | 当设置为 1b 时,清除所有锁存故障。CLR_FLT 将自动复位。 |
0 | DUTY_CTRL | R/W | 0h | 0b:用户无法手动编程占空比。 1b:当速度调节被禁用且 DUTY_CTRL 位为 1b 时,用户可以将所需的 PWM 占空比写入 PROG_DUTY 位。占空比范围为 0% (000000b) 至 100% (111111b)。 |
表 8-17 展示了 CONFIG1。
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配置浪涌时间 (1/2)。
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7-0 | TINRUSH_LSB | R/W | 0h | 16 位总输出中的下半部分 8 位输出,用于失速检测的浪涌时间消隐。设置失速检测方案忽略电机浪涌电流的时间量。 有关进一步说明,请参阅节 7.3.6.3.1。 |
表 8-18 展示了 CONFIG2。
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配置浪涌时间 (2/2)。
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7-0 | TINRUSH_MSB | R/W | 0h | 16 位总输出中的上半部分 8 位输出,用于失速检测的浪涌时间消隐。设置失速检测方案忽略电机浪涌电流的时间量。 有关进一步说明,请参阅节 7.3.6.3.1。 |
表 8-19 展示了 CONFIG3。
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启用/禁用 IMODE、SMODE 和消隐时间等各种器件模式。
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7-6 | IMODE | R/W | 1h | 决定电流调节的行为。 有关进一步说明,请参阅节 7.3.4.2下的 IMODE 配置。 |
5 | SMODE | R/W | 1h | 对器件对失速情况的响应进行编程。 有关进一步说明,请参阅节 7.3.5下的 SMODE 配置。 |
4 | INT_VREF | R/W | 0h | 如果设置为 1b,则在内部将 VREF 电压设置为 500mV。如果 INT_VREF 设置为 0b,则电压不固定。 有关进一步说明,请参阅节 7.3.5。 |
3 | TBLANK | R/W | 0h | 设置电流检测消隐时间。 如果设置为 0b,则 tBLANK=1.8µs。 如果设置为 1b,则 tBLANK=1.0µs。 |
2 | TDEG | R/W | 0h | 设置电流调节和失速检测抗尖峰脉冲时间。 如果设置为 0b,则 tDEG=2µs。 如果设置为 1b,则 tDEG=1µs。 |
1 | OCP_MODE | R/W | 1h | 对器件对过流事件的响应进行编程。 如果设置为 0b,则器件将在发生 OCP 事件时锁存。可以使用 CLR_FLT 清除。 如果设置为 1b,则发生 OCP 事件时,器件会在 tretry 时间后自动重试。 有关进一步说明,请参阅节 7.3.7.1。 |
0 | TSD_MODE | R/W | 1h | 对器件对过热事件的响应进行编程。 如果设置为 0b,则器件将在发生 TSD 事件时锁存。 如果设置为 1b,则器件将在 TJ<TTSD–THYS 时自动重试。 |
表 8-20 展示了 CONFIG4。
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配置报告寄存器,如 RC_REP 和 STALL_REP。
位 | 字段 | 类型 | 复位 | 说明 |
---|---|---|---|---|
7-6 | RSVD | R/W | 0h | 保留。 |
5 | STALL_REP | R/W | 1h | 决定是否在 nFAULT 引脚上报告失速。 当设置为 1b 时,只要检测到失速,nFAULT 就会处于低电平。 当设置为 0b 时,不会在 nFAULT 输出上报告失速。 有关进一步说明,请参阅节 7.3.5。 |
4 | CBC_REP | R/W | 1h | 当 REG_CTRL 设置为 01b 时,器件进入逐周期电流调节模式。在该模式下,每当 H 桥进入内部电流调节状态时,器件就会发出指示。CBC_REP 位用于确定逐周期模式下器件输出的行为。 1b:当 H 桥进入内部电流调节状态时,nFAULT 被拉至低电平。 0b:当 H 桥进入内部电流调节状态时,nFAULT 不被拉至低电平。 有关进一步说明,请参阅节 7.3.4.2.2。 |
3 | PMODE | R/W | 1h | 在相位/使能模式和 PWM 模式之间切换。 0b:PH/EN。 1b:PWM。 |
2 | I2C_BC | R/W | 0h | 决定 H 桥控制接口。 0b:由 INx 引脚配置电桥控制。 1b:由 I2C 位 I2C_EN_IN1 和 I2C_PH_IN2 配置电桥控制。 |
1 | I2C_EN_IN1 | R/W | 0h | 用于内部电桥控制的使能/PWM 输入位 1。当 I2C_BC=1b 时使用。当 I2C_BC=0b 时忽略。 |
0 | I2C_PH_IN2 | R/W | 0h | 用于内部电桥控制的相位/PWM 输入位 2。当 I2C_BC=1b 时使用。当 I2C_BC=0b 时忽略。 |