由于 DRV8215 已集成了能够驱动大电流的功率 MOSFET,因此,应特别注意布局设计和外部元件放置。下面提供了一些设计和布局指南。
- VM 至 GND 旁路电容器应采用低 ESR 陶瓷电容器。建议使用 X5R 和 X7R 类型的电容器。
- VM 电源电容器应放置在尽可能靠近器件的位置,以尽可能减少环路电感。
- VM 电源大容量电容器可以是陶瓷电容器或电解电容器,但也应尽可能靠近器件放置,以更大限度减小回路电感。
- VM、OUT1、OUT2 和 GND 承载着从电源传输到输出,然后重新传回到接地的高电流。对于这些迹线,应使用厚金属布线(如果可行)。
- 应通过热通路将器件散热焊盘连接到 PCB 顶层接地平面和内部接地平面(如果可用)上,以获得最强的 PCB 散热能力。
- “封装图”一节中提供了建议用于热通路的焊盘图案。
- 应尽可能扩大连接到散热焊盘的铜平面面积,以确保获得良好的散热效果。