ZHCSX05 February   2025 DAC60516

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  电气特性
    6. 5.6  时序要求 - I2C 标准模式
    7. 5.7  时序要求 - I2C 快速模式
    8. 5.8  时序要求 - I2C 快速+ 模式
    9. 5.9  时序要求 - SPI
    10. 5.10 开关特性
    11. 5.11 时序图
    12. 5.12 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 数模转换器 (DAC) 架构
        1. 6.3.1.1 DAC 寄存器结构
          1. 6.3.1.1.1 DAC 同步运行
          2. 6.3.1.1.2 DAC 缓冲器放大器
          3. 6.3.1.1.3 DAC 传递函数
      2. 6.3.2 内部基准
      3. 6.3.3 上电复位 (POR)
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 清除模式
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 串行接口
        1. 6.5.1.1 I2C 总线概述
        2. 6.5.1.2 I2C 总线定义
        3. 6.5.1.3 I2C 目标地址选择
        4. 6.5.1.4 I2C 读取和写入操作
        5. 6.5.1.5 I2C 通用调用复位
      2. 6.5.2 串行外设接口 (SPI)
        1. 6.5.2.1 SPI 总线概述
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 DAC60516 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 双极电压输出
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 可编程高电流电压输出电路
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 初始化设置
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

TJ = –40°C 至 +125°C，AVDD = 2.7V 至 5.5V，VIO = 1.7V 至 AVDD，VREFIN = 2.4V 至 5.5V，DAC 输出为空载，且数字输入处于 VIO 或 GND（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
静态性能(1)
分辨率 12 位
INL 相对精度 ±0.3 ±1 LSB
DNL 微分非线性 ±0.3 ±1 LSB
TUE 总体未调整误差 DAC 输出范围 = 0V 至 5V  ±0.04 ±0.15 %FSR
偏移误差 增益 = 1 或 2 ±0.75 ±3 mV
零标度误差 DAC 寄存器中填入全零 0 0.5 3 mV
满量程误差 DAC 寄存器中填入满量程代码 ±0.04 ±0.15 %FSR
增益误差 增益 = 1 或 2 ±0.04 ±0.15 %FSR
失调电压误差漂移 ±3 µV/°C
零量程误差漂移 ±2 µV/°C
满量程误差漂移 ±3 ppm FSR/°C
增益误差漂移 ±2 ppm FSR/°C
输出电压随时间推移的漂移 TJ = 25°C，DAC 代码 = 中标度，
1900 小时		 20 ppm FSR
输出特性
输出电压(2) 增益 = 2  0 2 × VREF V
增益 = 1 0 VREF
输出电压净空 至 AVDD（–50mA ≤ IOUT ≤ 50mA），
DAC 代码 = 满量程		 0.5 V
负载电流 50 mA
短路电流(3) 满量程输出短接至 GND 75 mA
零标度输出短接至 VDD 75
容性负载(4) RLOAD = 开路 0 2 nF
输出直流阻抗 DAC 输出位于 AVDD/2 0.08 Ω
DAC 输出位于 AVDD 或 GND 10
动态性能
输出电压建立时间 ¼ 至 ¾ 标度和 ¾ 至 ¼ 标度建立时间（趋稳至 ±1LSB），AVDD = 5.5V，
VREFIN = 2.5V，增益 = 2		 6 µs
压摆率 AVDD = 5.5V，VREFIN = 2.5V 1.7 V/µs
上电干扰幅度 DAC 代码 = 零标度 25 mV
输出噪声 At 频率 = 0.1Hz 至 10Hz，DAC 代码 = 中标度 12 µVpp
输出噪声密度 At 频率 = 1kHz，DAC 代码 = 中标度，
AVDD = 5.5V，VREFIN = 2.5V		 65 nV/Hz
AC PSRR DAC 代码 = 中标度，频率 = 60Hz，振幅 200mVpp 叠加在 AVDD 上 80 dB
直流 PSRR DAC 代码 = 中标度，AVDD = 5V ±0.5V 0.02 mV/V
代码变化干扰脉冲 主要载波周围的 1LSB 变化 1 nV-s
通道到通道交流串扰 DAC 代码 = 零标度，相邻通道上具有满量程摆幅 1 nV-s
通道间直流串扰 测量的通道处于零标度，
相邻通道处于满量程		 12 µV
测量的通道处于零标度，
所有其他通道处于满量程		 12
数字馈通 DAC 代码 = 中标度，fSCLK = 1MHz 0.1 nV-s
上电时间(5) 在 AVDD 斜升至 2.4V 且 VREFIN = 2.5V 后，DAC 通道加电并输出 0V 所需的时间。  120 µs
外部基准输入
VREFIN 基准输入电压范围 增益 = 1 1 VDD V
增益 = 2 1 AVDD/2
基准输入电流 VREFIN = 2.5V 85 µA
基准输入阻抗 25 30 kΩ
基准输入电容 5 pF
内部基准
VREFOUT 基准输出电压范围 TJ = 25°C 2.4975 2.5025 V
基准输出漂移 15 20 ppm/°C
基准输出阻抗 0.2 Ω
基准输出噪声 0.1Hz 至 10Hz 10 µVpp
基准输出噪声密度 10kHz，基准负载 = 10nF 125 nV/Hz
基准负载电流 -4 10 mA
基准负载调整率 拉电流和灌电流 175 µV/mA
基准线性调整率 500 µV/V
数字输入与输出
VIH 高电平输入电压，VIH AVDD = 2.7V 至 5.5V 0.7 × VIO V
VIL 低电平输入电压，VIL AVDD = 2.7V 至 5.5V 0.3 × VIO V
输入电流 ±2 µA
输入引脚电容 8 pF
VOH 高电平输出电压，VOH IOH = 0.2mA VIO - 0.2 V
VOL 低电平输出电压，VOL IOL = 0.2mA 0.4 V
输出引脚电容 4 pF
电源要求
IAVDD AVDD 电源电流 工作模式，启用内部基准，DAC 代码 = 满量程，SPI 静态 8.5 13 mA
工作模式，禁用内部基准，DAC 代码 = 满量程，SPI 静态 8 12.5
AVDD 电源电流 断电模式 10 20 µA
IVIO VIO 电源电流 0.1 1 µA
(1) 代码 16 至 4080 之间的终点拟合。
(2) 当使用外部基准 VREF = VREFIN 时。否则，VREF = 2.5V（内部基准电压）。
(3) 临时过载条件保护。电流限制期间可能会超过结温。在高于指定最大结温的温度下运行可能会影响器件可靠性。
(4) 根据设计和特征确定；未经生产测试。
(5) 在接下来的大约 5ms 的时间内，器件从存储器加载内部校准系数时，将阻止与器件的 SPI 或 I2C 通信。  在此时间范围内的任何数字通信都将被忽略。