ZHCSEO0B February   2016  – April 2018 CSD87335Q3D

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     俯视图
      1.      Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 Recommended Operating Conditions
    3. 5.3 Thermal Information
    4. 5.4 Power Block Performance
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Typical Power Block Device Characteristics
    7. 5.7 Typical Power Block MOSFET Characteristics
  6. 6Applications and Implementation
    1. 6.1 Application Information
      1. 6.1.1 Equivalent System Performance
    2. 6.2 Power Loss Curves
    3. 6.3 Safe Operating Curves (SOA)
    4. 6.4 Normalized Curves
    5. 6.5 Calculating Power Loss and SOA
      1. 6.5.1 Design Example
      2. 6.5.2 Calculating Power Loss
      3. 6.5.3 Calculating SOA Adjustments
  7. 7Recommended PCB Design Overview
    1. 7.1 Electrical Performance
    2. 7.2 Thermal Performance
  8. 8器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 社区资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 Glossary
  9. 9机械、封装和可订购信息
    1. 9.1 Q3D 封装尺寸
    2. 9.2 焊盘布局建议
    3. 9.3 模板建议
    4. 9.4 Q3D 卷带信息
    5. 9.5 引脚配置

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

CSD87335Q3D NexFET™电源块是面向同步降压 应用 的优化设计方案，能够以 3.3mm × 3.3mm 的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对 5V 栅极驱动 应用进行了优化，可提供一套灵活的解决方案，在与来自外部控制器或驱动器的任一 5V 栅极驱动配套使用时，均可提供高密度电源。

俯视图

CSD87335Q3D P0116-01_LPS223.gif

器件信息(1)

器件 介质 数量 封装 发货
CSD87335Q3D 13 英寸卷带 2500 SON
3.30mm × 3.30mm
塑料封装		 卷带封装
CSD87335Q3DT 7 英寸卷带 250
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。