为了最大限度提高 AFEx82H1 在任何应用中的性能，请遵循良好的布局规范和正确的电路设计。以下是特定于该器件的建议：
- 为了获得最佳性能，请将一个完整的 PCB 层专用于接地平面，在该层上不要进行任何其他信号布线。但是，根据特定终端设备施加的限制，专用接地平面并不总是可行。如果需要进行接地平面分离，请在 DAC 处直接连接平面。请勿在多个位置连接单个接地平面，因为这种配置会产生接地环路。
- IOVDD 和 PVDD 必须在各自引脚本地具有 100nF 去耦电容器。VDD 必须至少有一个用于内部 LDO 的 1μF 去耦电容器。使用高质量陶瓷型 NP0 或 X7R 电容器可在整个温度范围内实现出色的性能，并可以获得超低的损耗因数。
- 将一个 100nF 基准电容器靠近 VREFIO 引脚放置。
- 避免在基准输入附近传送开关信号。
- 保持数字和模拟部分相对于数字和模拟元件正确放置。将模拟和数字电路分开，以便减少与相邻块的耦合，并尽可能降低模拟和数字返回电流之间的相互影响。
- 对于包含保护电路的设计：
- 将 TVS 二极管或电容器等分流元件放置在靠近非板载连接器的位置，从而确保高能瞬态的返回电流不会损坏敏感器件。
- 使用大而宽的布线来提供一条低阻抗路径，从而使高能瞬态从 I/O 引脚转移出去。